本文目录一览：
- 1、双mos管连接问题。图中管子应该怎样连接,做功率放大用。
- 2、MOS开关电路
- 3、为什么mos管的源极与衬底极都是连着的
- 4、mos开关电路怎么连接
- 5、用三极管直接驱动MOS可以吗,需要注意点什么?
双mos管连接问题。图中管子应该怎样连接,做功率放大用。
本电路采用两个MOS管构成的功率放大电路，其电路如图4所示。此电路分别采用一个N沟道和一个P沟道场效应管对接而成，其中RP2和RP3为偏置电阻，用来调节电路的静态工作点。
场效应管有共源、共漏接法（与晶体管放大电路共射、共集接法相对应）。栅极/基极(G)接控制信号，源极(S)接负载电源负极（模拟地），漏极(D)接负载输出负极，负载输入正极直接接负载电源正极。
或电源)、衬底→高电平(或电源)。MOS管有用的管脚就是三个：源极、漏极、栅极。多余的管脚或者是同名管脚（在内部和漏极、栅极相连，特别是有些大功率管），或者是空脚（没有内部连接，只起焊接固定作用）。
MOS开关电路
MOS开关电路图电路图如下：AOD448是30V 75A的管子，是用5V驱动的，偏高了点。可以用AOD442，AO3416等管子，电压用5V就能驱动。当电压为5V时，只有26豪欧。电流2到3安没问题。
MOS管在开关电路的作用是信号的转换、控制电路的通断。
mos管的开关电路原理MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor）管的开关电路原理是通过控制门电压来控制通过MOSFET管的电流。当门电压高于源电压时，MOSFET管导通，当门电压低于源电压时，MOSFET管不导通。
为什么mos管的源极与衬底极都是连着的
1、避免电压漂移。对于单个独立的MOS场效应管，衬底B通常与源极S连接在一起，这样两个电极的电位是一致的，这样可以避免体效应引起阈值电压的漂移。
2、对于增强型N沟道的MOSFET，我们希望的是形成沟道后，在两个重掺杂的n区中形成以电子为主的电子流，但是其中的寄生的pn结是不可避免的，例如n区与衬底p之间形成了pn结，必须使其零偏或者反偏，即使Vbs=0。
3、源极和衬底连接是MOS管的一种用法。两者相连时相当于pn结（衬底-源）上接零电压，pn结耗尽区中漂移流与扩散流平衡，pn结上总电流为零。 栅源不加电压时，沟道不开启，不会有漏源电流。
4、在MOSFET管中，衬底通常与源极在内部连接在一起。MOSFET管的金属极是GATE，半导体端是BACKGATE，金属极和半导体端之间的绝缘氧化层称为GATEDIELECTRIC。GATE和BACKGATE在WORKFUNCTION上的差异在电介质上产生了一个小电场。
mos开关电路怎么连接
1、一般的N沟道MOS在3V往上就可以导通，但是为了考虑可靠性，往往是加上一个电阻，接到12V左右，这是我们常用的。如图我们产品中的一个图，是电机驱动，用的就是MOS的开关特性。
2、场效应管有共源、共漏接法（与晶体管放大电路共射、共集接法相对应）。栅极/基极(G)接控制信号，源极(S)接负载电源负极（模拟地），漏极(D)接负载输出负极，负载输入正极直接接负载电源正极。
3、首先，确保M脚的接线与控制信号源连接良好。其次，使用合适的电阻将M脚与地连接，以确保接地信号的稳定性。最后，应避免将M脚与高电流线路或高压线路靠近，以防止干扰。
4、在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用PMOS管经典开关电路，这也是出于对电压驱动的考虑。
用三极管直接驱动MOS可以吗,需要注意点什么?
可以的。拓展：场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET-JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET)。
b. 正常工作时，三极管的两个PN 结一个正偏一个反偏，而MOS 管的两个PN 结均需 反偏；c. MOS 主要通过多子载流子导电，是“单极型”器件。
用三极管不如用ULN2803，一个ULN2803可以驱动8只MOS管。没有其他电路。 直接可以连接，简单方便。
MOS管不只能够做开关电路，也能够做仿照拓宽，因为栅极电压在必定方案内的改动会致使源漏间导通电阻的改动。
从mos管的电路符号可以知道栅极G和基底之间存在一个较大的寄生电容，这个电容也正是栅极能控制巨大电流通断的关键。学过模电的都知道，电容从零电压充电到额定电压是需要时间的，电容容值越大所需的充电时间就越长。