本文目录一览：
- 1、MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少?
- 2、MOS管驱动电压,是处于饱和区时MOS的VGS-VTH吗?驱动电压有什么意义?
- 3、MOS管的vgs大多是多少伏?
- 4、mosfet实际常用的正驱动电压是
MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少?
MOS的阈值电压，即是所谓的开启电压，不同型号的阈值会有不同的值；而通常情况下还与其耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。
nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。
MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。
解析：你是指CMOS集成电路中的MOSFET导通电压么？对于CMOS电路来说，导通电压左右，也就是阈值电压是与工艺有关的。例如0.35um的工艺，PMOS的阈值电压为-0.7V左右，NMOS小一些，可能0.6V左右。
MOS管驱动电压,是处于饱和区时MOS的VGS-VTH吗?驱动电压有什么意义?
W/L：氧化层宽长比。Vgs-Vth：为过驱动电压。
当VGS＜VTH时，mos管工作在截止区域；对于要感应的沟道和mos管在线性或饱和区工作，VGS＞VTH；栅极-漏极偏置电压VGD将决定mos管是处于线性区还是饱和区。
Vod=Vgs-Vth，用MOS的Level 1 Model时，不考虑短沟道效用，Vdsat=Vod=Vgs-Vth，当VdsVdsat时，MOS的沟道就出现Pich-off现象，这时候电流开始饱和。
I表示饱和区电流，k表示MOS管的电流增益系数，W/L表示MOS管的宽度和长度比，Vgs表示栅极电压，Vth表示阈值电压。饱和区电流是指在MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的饱和区工作时的电流。
MOS管的vgs大多是多少伏?
从电路上分析，理论上Vgs=R2两端电压降Ur2=2*24/12=18V 这个电压与MOS管导通与否没有关系。
指的是开启电压，最小0.6V，最大2V。就是这个型号的管子的开启电压（GS之间加上一定的电压刚刚好使DS之间开始导通，这个电压就是开启电压）从0.6到2V之间，每个管子都有所不同，这是制造时的离散性造成的。
你要明白饱和的概念，并不是VGS多少V就会饱和，而是当ID的电流流过漏极负载电阻，而电阻产生的压降略等于电源电压时，就是饱和。VGS＝3V，电流在8A左右，如果VDS为5V，那负载超过0.625R时就会饱和（8A*0.625R＝5V）。
MOSFET开启电压5V的话，需要栅极电压高于源级电压5V才能导通，就是说如果源级电压是12V，栅极电压要12+5=17V才能导通。这个说的对。
mosfet实际常用的正驱动电压是
场效应管的驱动电压是2～4V（极值20V），驱动电流约100nA。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。
MOS管 的驱动电压一般较低，我了解的大多数在10VDC以下吧，当然和你的型号有关，你可以下载其规格书看看。低压MOS一般5Vdc导通的。
大多数Si管子手册正负压限制绝对值相等比如+20和-20，而SiC通常有更小的负压限制，比如这个SIC管子，GS正压最大值25而负压-10。