本文目录一览：
- 1、晶体振荡器是什么？
- 2、pmos导通条件
- 3、...的MOS管他的GS极的电压是多大就开始导通,最大能加到多大的电压才不...
- 4、mos管导通条件
- 5、请问,N沟道MOS管,是不是只要Vgs电压达到要求,不管源极电位是多少都能...
晶体振荡器是什么？
晶体振荡器时钟发生装置叫做“晶体振荡器”。晶体具有压电效应，其固有频率十分稳定，因此晶体振荡器具有非常高的频率稳定度。是一个晶体的（石英）的压电效应通过利用高频率引起振荡精度当使用无源元件中的一个。
晶体振荡器是指从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片（简称为晶片），石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振；而在封装内部添加IC组成振荡电路的晶体元件称为晶体振荡器。
fosc代表振荡器的频率，也就是晶振的频率。晶体振荡器是指从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片(简称为晶片)，石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振；而在封装内部添加IC组成振荡电路的晶体元件称为晶体振荡器。
pmos导通条件
pmos导通条件是指pmos串联晶体管门电压Vgs、源极供电电压Vdd和漏极电压Vdd之间的关系。pmos和nmos的区别是：PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管全称：positivechannelMetalOxideSemiconductor别名，positiveMOS。
PMOS和NMOS同时打开会造成器件短路，形成瞬态开路电流。NMOS管的主回路电流方向为D到S，导通条件为VGS，有一定的压差，如5V（G电位比S电位高）。
对于NMOS，当Vg减Vs大于Vgs（th）时，MOS管导通G极和S极的差大于一定值，MOS管会导通，不能大太多，Vgs（th）和别的参数需要看MOS管的SPEC。
增强型PMOS管的导通条件是Ugs≦UTP≦0。那么这个PMOS放大器为什么可以用正电压VDD呢？原因就在于它的源极S是连接在VDD上，而漏极D是接地的。
当栅极电压为负电压时，PMOS处于导通状态，栅极电压为正电压时，PMOS处于截止状态。PMOS的栅极电压与源极电压之差（VGS）为负值时，PMOS导通。PMOS用于在逻辑电路中实现逻辑功能，如负责逻辑门的电源。
...的MOS管他的GS极的电压是多大就开始导通,最大能加到多大的电压才不...
最大20瓦，最小12瓦。根据查询国家标准《安全电压》信息显示，mos管的导通起控电压为2到4瓦，GS极之间最高电压不能超过20瓦，GS两极之间接入最低12到15瓦，所以mos管开启电压最大值为20瓦，GS最小值为12瓦。
一般2V～4V就可以了。P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为8V，G为8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为8V。
一般mos管的饱和电压在10v，也有3-5v的，同一个mos管通过不同的电流栅极电压也不同的。mos管它的极间电容比较大，为了使mos管的开关速度快和减少功耗，就要对栅极快速充放电，驱动电路就是派这个用场的。
是的，G极的电压需要2-4V之间。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。
MOS管导通时栅极电压是5伏左右。20伏是极限电压。
V。GS极的耐压值，正向和反向都是20V，超出这个值，管子会坏需要注意。MOS场效应晶体管通常简称为场效应管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件。
mos管导通条件
1、对于NMOS，当Vg减Vs大于Vgs（th）时，MOS管导通G极和S极的差大于一定值，MOS管会导通，不能大太多，Vgs（th）和别的参数需要看MOS管的SPEC。
2、P型MOS管的导通条件：靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。
3、P沟道MOS管导通的条件是在栅极G加触发电压，使源极S与漏极D导通。在P沟道MOS管中，当栅源电压差大于阈值电压时（即VGSVth），会形成一个由正负载流组成的导通路径，使漏极D和源极S之间可以通过电流进行传输。
4、PMOS导通是在G和S之间加G负S正电压。NMOS相反。
5、pmos导通条件是指pmos串联晶体管门电压Vgs、源极供电电压Vdd和漏极电压Vdd之间的关系。pmos和nmos的区别是：PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管全称：positivechannelMetalOxideSemiconductor别名，positiveMOS。
请问,N沟道MOS管,是不是只要Vgs电压达到要求,不管源极电位是多少都能...
1、N沟道的MOS管导通只要Vgs大于其开启电压Vth即可。但其阻抗R=1/K（Vgs—Vth—Vds），所以在MOS管做好后，其阻抗与Vg成反比。
2、端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。
3、一般2V～4V就可以了。P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为8V，G为8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为8V。
4、MOS管的导通是一个过程，你需要仔仔细细看一下模电书，好好温习一下Ugs(th)的定义。对于N-MOSFET来说，Ugs(th)是指刚刚形成导电沟道所需要的Ugs电压，注意这里的定语——刚刚形成导电沟道。
5、从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。
6、VGS(th)是开启电压，含义是在GS间加上这个电压，MOS管的DS之间就可以有电流流过，不再是截至状态。由于每个管子这个电压存在区别，所以制造商规定了最小值和最大值，就是说合格品的开启电压都在这个范围以内。