n沟道mos管封装（n沟道mos管接线图）

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HFP10N60U是N沟道MOS场效应管，封装形式是TO-220，主要参数是600V/ 10A，常用于开关电源的开关管。电子管，是一种最早期的电信号放大器件。

三个脚的二极管是两只二极管的组合，是双绕组（有中间抽头）变压器的全波整流桥，中间一个电极是直流输出的正极。两边分别接变压器。四个脚的是全波整流桥，其中两个脚接变压器，两个脚分别是直流输出的正负极。

行话MOS管），主要是负责供电的，一般一组三个，要全全换，一个主板有三到四组，大约9到12个。显卡附近的有些也是，内存附近的好多都不是（是多脚的电源模块），但也有是的（和显卡一样有一组）。

要看他的电路了，我的客户一般产品都会采用光源用的三极管。但是做80w以上的就会采用场效应管，在瓦数越大的时候，场效应管的输出波形明显要比三极管漂亮。

n沟道mos管封装（n沟道mos管接线图）

1、IRFZ48N为55V/64A场效应管。IRF640为200V/18A场效应管。两者耐压和允许最大电流相差太多，所以不可以相互代换。

2、可以用市面最常见的场效应管60N06代替。

3、IRFZ48N为TO-220形式封装的N沟道增强型MOS快速功率开关管。其引脚电极排序1为栅极G、2为漏极D、3为源极S。IRFZ48N的主要参数指标为：VDss=55V，ID=66A，Ptot=140W，TJ=175℃，RDS(ON)≤16mΩ 。

1、电脑开关电源里面的功率管13N50C，是一只N沟道MOS场效应管，它的主要电参数是：Vdss=500V，Id=13A，Rds(on) max = 0.3 Ω。可以使用FDPF13N50N直接代换，它们的参数一样，只是序号有差别。

2、N60是耐压600V，电流10A的N沟道场效应管。13N50是耐压500V，电流13A的N沟道场效应管。只要你的实际应用电压不超过400V，就可以代换。电流不用考虑了。场效应晶体管简称场效应管。

3、两者均为13A、N沟道场效应功率管，只不过前者耐压是600V，而后者耐压为500V。

4、n50是绝缘栅极场效应管，一般功率场效应管D、S极有一个反向并联二极管，所以用万用表量DS间成二极管特性，栅极是绝缘型的，和任意脚电阻无穷大。

都可以代换！ k80E08K3，75V 80A 200W ，电阻9毫欧，开启电压4V； 2Sk4145，60V 84A 84W，电阻10毫欧，开启电压4V；开启电压实际应选在8V-15V之间。

KIA75NF75。P75NF75属于晶体管类别，参数是：电流75A耐压75V，采用TO220形式封装，可以用KIA75NF75代换。参数是：电流80A/耐压80V，漏源电压：80M，栅源电压：±25V，连续漏电流：80A/70A，脉冲漏电流：340A。

N沟；75V；80A；这是低电压大电流场效应管，我已帮你找了，有点难，一般电压高，电流小很多。

场效应管7N60和10N60后一个电流参数大些，多数情况下可以代换。

不一定，有的能代，有的不能代。要查一下原管的参数，用性能相近，参数相同或高于原管的来代。

电流大于6A，电压大于200V的场效应管都可以代替。比如6N60、7N80……，用于做电视电源的场应管都可以代。

1、N60C为N沟道MOS场效应管，其耐压值为600V，ID为8A，TO220封装。

2、①、关于以上那8N60属于N沟道场效应管，其参数是//耐压：600V//电流：8A//T0-220封装//。②、7N60属于N沟道场效应管，其参数是//耐压：600V//电流：7A//T0-220封装//。

3、场效应管8N60C的参数是：10A，600V，可以用SSS7N60B，T2SK2545(2SK3562)，IRFBC40，STP8NK60ZFP进行代换。

4、场效应管cs8n60用FNK8n60型号管子代换。场效应管cs8n60参数：N-沟， 8n60，5A，600V，RDS=2欧。FNK8n60参数：N-沟，5A，650V，RDS=2欧。

5、n60是最常见的n沟道场效应三极管，也最容易买到。电流大于8a、电压大于600v的场效应管都可以代用。10a、600v的10n60，还可以用SSS7N60B，T2SK2545(2SK3562)，IRFBC40，STP8NK60ZFP进行代换。