本文目录一览：
典型MOS管的阈值电压是多少
1、阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。
2、nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。
3、工艺越先进，阈值电压越小，例如0.18um，PMOS的阈值电压可能只有-0.4V左右，NMOS更小一些，可能0.3V左右。
4、首先需要说40V不是开启电压，开启电压又叫阈值电压，一般都在2-6V之间。如果有型号可以查它的各种参数，如果单看40V5A，一般指的的是漏源击穿电压40V，漏源额定工作电流5A。
5、你好！NTMFS4C029NT1G [N沟道晶体管] 5-DFN封装，表面贴装型。
哪个型号的pmos管导通压降比较低,求,谢谢各位了
1、si2301是低压P沟道MOS场效应管，当漏极电流为3A时，压降约为.03欧姆。
2、找不到最大电流60A的，瞬时脉冲电流可以超过60A，但是连续电流最大只有50A的，导通内阻也没有那么小的。MTP50P03和MTB50P03，最大连续电流50A，瞬时脉冲电流150A，开启电压典型值5V，最大值2V，导通电阻20mΩ。
3、MOS管是电压控制性器件，三极管是电流控制性器件，因此MOS管（ DMP210DUFB4-7B ）更节能。MOS管只有多数载流子参与导电，三极管中多数载流子和少数载流子都参与导电，因此MOS管热稳定性更好。
饱和管压降uces是什么意思?
当晶体管完全、充分导通，CE之间的总有一定的电压，不可能为0，饱和压降就是指这个最小电压。三极管一般处于放大区工作，计算的时候一般从发射结压降入手，硅管0.7V，锗管0.2V，去算出vce。
饱和管压降也就是临界饱和电压，理论上说是放大区与饱和区的边界。对于小功率管来说，大概是0.7V左右，对于大功率管子来说，可以达到2-3V。
三极管Uces：即饱和状态，指晶体管的一种低电压、大电流工作状态（即开态）.晶体管的工作状态。Uce：称为压降，电流流过负载以后相对于同一参考点的电势（电位）变化。
指代不同：Uces：饱和状态。Uce：压降。原理不同：Uces：发射结和集电结都处于正偏，输出集电极电流决定于外电路参量。Uce：负载两端的电势差引起电压降。作用不同：Uces：用于减小集电极串联电阻，降低饱和压降。