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mos管怎么做电容和dummy
1、避免芯片中的noise对关键信号的影响，在关键信号的周围加上dummy routing layer后者dummy元器件。
2、首先将其中一根与MOS场效应管的D极(漏极)相连。其次另一根与限流电阻相连，都用细铜丝缠紧。最后用焊锡固定，点焊针部分便做好了。
3、mos电容是通过一定接法把mos管用作电容。主要是在集成电路设计中使用。
4、串联...首先，G级和S级有结电容Cgs，假设mos管完全导通为12V，4V初步导通，那么G级电压会产生一个4V的米勒平台。G级电压会对Cgs充电，使G级电压维持在4V。
5、小于100pf。在MOS管的DS两端并联吸收电容，DS端并联的电容小于100pf，电容的耐压需和MOS管耐压一致，容值需要根据电压尖峰和寄生电感的大小选择，通常为nf级。
mos的g极串联一个电容可以导通吗
串联...首先，G级和S级有结电容Cgs，假设mos管完全导通为12V，4V初步导通，那么G级电压会产生一个4V的米勒平台。G级电压会对Cgs充电，使G级电压维持在4V。
当G加上电压后就会给这个电容充电，当G上的电压撤掉后若G悬空电容的电荷是不能马上放掉的，实际上G极的电压仍然存在一段时间，所以不会马上截止。
我只要再28VOUT端加上大电容后，不管G极电压变化MOS管一直处于导通状态。如果28VOUT端不加大电容后，MOS管随G极电压变化能起到开关作用。请问这大电容到底影响了什么东西。
NMOS导通需要gs有一个正压，导通时，必须通过自举电容来获取gs的正压，pmos导通gs需要一个负压，即G端电压要小于s端电压，这样ic实现起来就很方便了，不用之举电容。
从而避免MOS管被烧坏。要考虑二极管的单向导通性，主要是其保护作用，G，S间的寄生电容较小，通常在几pf到10几pf左右。考虑到U=Q/C，故很容易在栅极上形成极高的ESD电压，所以通常会在G-S之间加上TVS，防止G-S击穿。
一般mos管的饱和电压在10v，也有3-5v的，同一个mos管通过不同的电流栅极电压也不同的。mos管它的极间电容比较大，为了使mos管的开关速度快和减少功耗，就要对栅极快速充放电，驱动电路就是派这个用场的。
mos管ds间并联电容多大合适
1、小于100pf。在MOS管的DS两端并联吸收电容，DS端并联的电容小于100pf，电容的耐压需和MOS管耐压一致，容值需要根据电压尖峰和寄生电感的大小选择，通常为nf级。
2、用来吸收MOS开关瞬间的纹波的，起到保护MOS的作用，那颗电容有个专门的名字“Snubber”，容量并不一定都是0.1uf，根据实际情况选择。
3、也许下边的分析，有助于你解决问题。但是将5V接5欧电阻时，问题很严重：刚上电时，变压器蜂鸣逐渐加重，MOSFET两端电压反常，波形如下图，而且测得的周期（约75us）与设计值（40kHz，25us）差了3倍。
mosfet的结电容是哪个参数
1、输入电容Ciss，输出电容Coss，反馈电容Crss，其中：Ciss=Crss+Cgs，Coss=Cds+Crss。
2、图2 比较了两种器件的电容：一个是SiHP17N60D，它是一种平面器件；另一个是SiHP15N60E，它是一种超结MOSFET，具有接近但略低的RDSON。请注意，这些数值是以对数刻度绘制的。
3、具体来说，耦合电容是指连接放大电路中两个级之间的电容，它会对信号的低频响应产生影响，从而影响放大电路的下限截止频率。
4、在MOS管的结构中可以看到，在GS、GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，理论上就是对电容的充放电。 对电容的充电需要一个电流，由于对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。
5、场管结电容一般比较大，而极-极电阻一般比较小。场效应管（FET）的栅极与源极之间的结电容是FET的重要参数之一，它决定了FET的高频特性。
开关电源中mos管串个高压小电容是干什么用的
开关管漏极和源极的电容作用一是降低MOS管导通瞬间可能产生的浪涌电流，二是抑制MOS管栅极回路可能感应到的空间电磁干扰使MOS管误导通。
在直流电路中电容器一般起隔断直流的作用。电路中关键部位要配置适当的高频退耦电容，如在电源的输入端应接一个10μF～100 μF的电解电容，在集成电路的电源引脚附近都应接一个0.01 pF左右的瓷片电容。
消反峰。由于开关变压器存在漏感和分布电容，开关管在由导通转向截止瞬间，会产生很高的反峰电压，容易击穿开关管，电磁干扰也较大。并上该阻容回路后，消耗了反峰能量，不致击穿开关管，电磁干扰也会减小。