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N沟道耗尽型MOS管工作在恒流区时,g极与d极之间的电...
1、不一定。看管子的，看输出特性曲线就知道了。NJFET在恒流区有这个性质，UGS一定是负值且，UDS是正值。但耗尽型NMOS在UGS为正、负、0的情况下都能工作，后两种可以说UDS一定大于UGS，但第一种情况下未必。
2、栅源电压大于0：n沟道耗尽型mos管恒流区栅极上需要施加正向偏压，当栅源电压大于0时，栅极与源极之间的绝缘层中的电子空穴对被击穿，形成导电沟道。
3、第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如，3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。
4、因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。
5、这是个自给偏置的电路结构，所以栅极电压确定了，那么源极电压也就确定了；另外BSS169为N沟道耗尽型场效应管，在 Ugs=0V，即具有导通能力，也就是说，Ug=5V时，Us=5V。
MOS管是什么?
1、mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。
2、叫MOS管，就是场效应管，在电路用来作放大或控制。
3、MOS管作用：用途广泛，包括电视机高频头（高频，小电流）到开关电源（高压大电流），现在把MOS和双极型（普通三极管）复合在一起（IGBT，绝缘栅双极型晶体管），广泛应用于大功率领域。
4、MOS管：场效应管。采用绝缘栅结构的晶体三极管，输入阻抗高，输出呈电阻态。
场效应管与mos管区别
1、主体不同 场效应：V型槽MOS场效应管。是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。MOS管：金属-氧化物-半导体型场效应管属于绝缘栅型。
2、场效应管（FET）分为MOS场效应管（MOSFET）和结型场效应管（JFET）。现在主要使用MOS场效应管，即通常所称的MOS管。 MOS是金属（Metal）-氧化物（Oxide）-半导体（Semiconductor）的简称，即栅-二氧化硅-硅。
3、性质上的区别 三极管，是一种控制电流的半导体器，是半导体基本元器件之一，是电子电路的核心元件。
4、场效应管就是MOS管，场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管，MOS管可以说是一种通俗的叫法吧，一些采购工程比较喜欢叫MOS管。
5、区别在与三极管和场效应管，晶体管是电流控制器件，场效应管是电压控制器件，这是根本的区别；3：晶体管价格便宜，用在一般的场合，场效应管价格高，用在要求高的场合，他们的电路应用形式也大不相同。
6、结型场效应管（JFET），是通过栅与源漏之间形成的PN结来控制实现晶体管源漏之间的导通，具体地说，是通过控制栅与源漏之间形成PN结的耗尽区的宽度，从而实现对漏电流大小的控制。
场效应和MOS管有什么区别呢?
场效应管（FET）分为MOS场效应管（MOSFET）和结型场效应管（JFET）。现在主要使用MOS场效应管，即通常所称的MOS管。 MOS是金属（Metal）-氧化物（Oxide）-半导体（Semiconductor）的简称，即栅-二氧化硅-硅。
性质上的区别 三极管，是一种控制电流的半导体器，是半导体基本元器件之一，是电子电路的核心元件。
场效应管就是MOS管，场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管，MOS管可以说是一种通俗的叫法吧，一些采购工程比较喜欢叫MOS管。
MOS管全称是MOSFET，意思是金属绝缘栅型场效应管，因为它的栅极与沟道之间有一层绝缘层而得名，且栅极通常采用铝金属作为材料而得名。它是场效应管的一种（另外一种是结型场效应管）。
MOS管和场效应管其实是一样的，所以其作用也一样。但在具体电路中，每一个电子元件都会有一定的差异存在。所以要具体电路具体分析。具体条件具体设计。
结型场效应管（JFET），是通过栅与源漏之间形成的PN结来控制实现晶体管源漏之间的导通，具体地说，是通过控制栅与源漏之间形成PN结的耗尽区的宽度，从而实现对漏电流大小的控制。
MOS型晶体管
主体不同 MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。
MOS管（MOSFET，金属氧化物半导体场效应晶体管）的引脚标识通常包括： G（Gate，栅极）：这是MOS管的控制引脚。通过在栅极上施加电压，你可以控制MOSFET的通道的导电性，从而打开或关闭它。
mosfet是金属氧化物半导体场效应晶体管。
mosfet属于半导体器件。mosfet的全称是金属氧化物半导体场效应晶体管，也称为MOS场效应晶体管。它是一种非常重要的半导体器件，在电子电路中有广泛的应用。
G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。
场效应管和mos管区别
1、主体不同 场效应：V型槽MOS场效应管。是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。MOS管：金属-氧化物-半导体型场效应管属于绝缘栅型。
2、场效应管（FET）分为MOS场效应管（MOSFET）和结型场效应管（JFET）。现在主要使用MOS场效应管，即通常所称的MOS管。 MOS是金属（Metal）-氧化物（Oxide）-半导体（Semiconductor）的简称，即栅-二氧化硅-硅。
3、性质上的区别 三极管，是一种控制电流的半导体器，是半导体基本元器件之一，是电子电路的核心元件。