本文目录一览：
- 1、ASEMI低压MOS管SI2302的参数是多少?
- 2、MOS管封装与参数有着怎样的关系,如何选择合适封装的MOS管
- 3、锂电池保护板上MOS管用什么规格参数的?
- 4、请问一下,做开关电源,选择MOS管的时候主要考虑哪些参数?谢谢!
- 5、MOS管70SL500A参数
- 6、选择mos管需要考虑那些参数?
ASEMI低压MOS管SI2302的参数是多少?
①、关于以上的这MOS管Sl2302是不能替代AO3400A管子的，原因是，向那SI2302属于N沟道MOS场效应管，参数是//耐压：20V//电流：1A，而那AO3400A也属于N沟道MOS场效应管，参数是//耐压：30V//电流：7A//。
相对于三极管，用小功率mos管，比如SI230SI2302，在实际使用中不是很理想，主要是微功率MOS管，容易烧坏，抗冲击能力太弱 尤其是mos管导通之后的内阻太低，容易被瞬间大电流冲击烧坏。
其实这两颗mos管都是2302这个型号，只不过SI2302是市面上一般的2302打的中性标签，而SI2302DS是VISHAY的型号。场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。
MOS管封装与参数有着怎样的关系,如何选择合适封装的MOS管
选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构 成了低压侧开关。
小功率MOS管导通电阻一般在几毫欧至几十毫欧左右，选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。
Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。
，根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft，一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。2，还有一种方法就是给定一个温差，然推出Rds。
这个主要是看你用在什么上面，然后根据你的应用选择参数。一般来说，考虑的参数是Vds，Ids以及Rds这三个，还有有的会考虑Ciss这个参数的，希望能帮到你。
发热越小。并计算MOS管功耗。最后，根据以上参数：耐压，最大电流和功耗，选择符合以上条件的MOS管。根据允许安装尺寸选择合适的封装。比如top3，to220，to263，to252，dfn8，qfn8，sop8，sot23，sot223等封装。
锂电池保护板上MOS管用什么规格参数的?
V/150A、100V/120A、85V/210A 、80V/250A、200V/40A、100V/250A、60V/300A、40V/300A、-100V/60A、60V/80A、60V/120A 、60V/100A、40V/120A 、100V/15A 海飞乐MOS管。
毫安。根据该mos管简介可知，该mos管的电压为500毫安。MOS管学名是场效应管，是金属-氧化物-半导体型场效应管，属于绝缘栅型。
小功率MOS管导通电阻一般在几毫欧至几十毫欧左右，选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。
耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。
请问一下,做开关电源,选择MOS管的时候主要考虑哪些参数?谢谢!
电容越大、电阻越小吸收越好、尖峰越小，同时也会引起效率下降。峰峰值和过电压的尖峰不是一回事。
Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。
MOS管最关键的几个参数：ds电流、sd之间的耐压、gs的开启电压、输入电容、导通电阻、热阻，MOS管开通太快容易产生EMI干扰，开通过慢又会增加功耗，驱动电路要仔细设计。
选择所需符合的安规及电磁兼容 （EMC） 认证。开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制（PWM）控制IC和MOSFET构成。
选在MOSFET一般有两个标准，一个温度，一个耐压。具体选择还要根据实际的电路情况。比如跟问题温度有关系的参数就包括，通过MOSFET的电流、散热情况、使用环境。电流的计算可以用输入功率除以输入最小电压除以占空比就可以。
MOS管70SL500A参数
除开关速度快之外，还具有开关损耗低的特点，特别适应PWM输出模式应用；而耐高压MOS管具有输入阻抗高的特性，在电子镇流器、电子变压器、开关电源方面应用较多。
开启电压VT·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
V/50A 、30V/80A、45V/50A、30V/50A、30V/150A、30V/20A、30V/50A、100V/13A。封装：TO-2TO-25TO-247。台湾芯片。免费送样。 追问 海飞乐MOS管，大批量出货中，台湾芯片。免费送样。导通电阻5mΩ上下。
选择mos管需要考虑那些参数?
，根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft，一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。2，还有一种方法就是给定一个温差，然推出Rds。
选择合适的功率。为了使电源的寿命增长，建议选用多30%输出功率额定的机种。例如若系统需要一个100W的电源，则建议挑选大于130W输出功率额定的机种，以此类推可有效提升电源的寿命。考虑负载特性。
电容越大、电阻越小吸收越好、尖峰越小，同时也会引起效率下降。峰峰值和过电压的尖峰不是一回事。
耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。