mos管的寄生二极管（mos管的寄生二极管功率是多少）

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1、mos管本身自带有寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。

2、MOS管有3个脚，分别为g栅，s源，d漏（不管是NMOS还是PMOS），g栅极与s和d是隔着氧化物的，所以gs间和gd间的电阻是无穷大的，而ds是可以互换的，那个电压高那边就是漏极。

3、．MOS管栅极与漏、源两极之间绝缘阻值很高，因此在测试过程中G-D、G-S之间均表现出很高的电阻值。而寄生二极管的存在将使D、S两只管脚间表现出正反向阻值差异很大的现象。

1、当MOS有很大的反向瞬间电流时，该二极管导通，起到保护作用。肖特基二极管肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。

2、MOS电路中应用最广泛的为CMOS电路，CMOS数字电路中，应用最广泛的为4000、4500系列，它不但适用于通用逻辑电路的设计，而且综合性能也很好，它与TTL电路一起成为数字集成电路中两大主流产品。

3、充电方式不同、适用场景不同。充电方式不同：4MOS充电板采用传统的恒流源充电方式，5MOS充电板采用智能充电方式。

4、架构：- MOSFET：MOSFET是一种场效应晶体管，它基于场效应原理工作。它有一个金属栅极、绝缘氧化物层和半导体材料。MOSFET适用于低电压和高频率应用。

5、通过背面P型层的空穴注入降低器件的导通电阻，但同时也会引入一些拖尾电流等问题。从产品来说，IGBT一般用在高压功率产品上，从600V到几千伏都有；MOSFET应用电压相对较低从十几伏到1000左右。

6、应用场景：MOS管广泛应用于各种电子电路中，如放大器、振荡器、开关等。其优点包括高输入阻抗、低功耗、低噪声等。

mos管的寄生二极管（mos管的寄生二极管功率是多少）

1、不是所有的MOS管都有寄生二极管，只有V-MOS管才有寄生二极管。数字表的电阻档不能测量二极管，必须用二极管档测量，才能在一个方向测到电阻（电压），反方向不通。

2、寄生二极管肯定是存在的，只要你的器件中有PN结。MOS管属于单极性器件，在导通过程中施加反向电压，很容易损坏。

3、这个二极管不是所有的MOS管都有，有没有与生产工艺有关。一般大功率管工艺为VMOS、TMOS等，就有这个二极管。它不是特意做出来的，是生产时自然形成的。小功率管以及集成电路中的MOS管一般没有这个二极管。

4、该二极管的产生与生产工艺有关，并不是所有的MOS内部都有该二极管。一般大功率管有该二极管，小功率管和集成电路中的mos管没有该二极管。如果漏极从衬底硅片底部引出的，则会有该二极管，是漏极与衬底之间形成了PN结造成的。

5、mos管本身自带有寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。

6、这个二极管是跟生产工艺有关的，并不是每个都有，像一些小功率的MOS和集成电路中有些就没有这个二极管，这个二极管产生的原因主要是因为我们在生产MOS的时候会将源级S接到衬底P上。

1、使用有寄生二极管的P沟道MOS管，S的电压要高于D的电压，原因同上。下面是MOS管的导通条件，只要记住电压方向与中间箭头方向相反即为导通（当然这个相反电压需要达到MOS管的开启电压）。

2、本来就是MOS管本身里有一个体二极管，是D级到S级，就按沟道不打开，电流不经过沟道过去，也可以先过它的体二极管到S级的。

3、如果NMOS的源极不接衬底，不接到地，那么只要是G-S正偏就可以，Vgs大于门槛电压，MOS就可以导通。电流可由D--S，也可S--D。主要是看源极和漏极之间的电位，漏极电位高于源极，电流D到S。

4、小功率管以及集成电路中的MOS管一般没有这个二极管。如果D极电压高于S极是不是这个二极管就会导通那要看管子的极性，是P沟还是N沟。这是生产工艺造成的。漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。

5、在不考虑体电阻的情况下，只要栅源电压大于开启电压，MOSFET是可以双向导通的，此时MOSFET表现出来的就是一个压控电阻特性，不过两个方向的电阻特性并不完全一致。