MOS管伏安特性（mos管伏安特性曲线分析）

本文目录一览：

电阻的伏安特性是一条斜直线，而二极管的伏安特性是一条近似反S形的曲线。

二极管具有单向导电性；二极管的伏安特性具有非线性；二极管的伏安特性与温度有关。在二极管两端加一定数值的电压，就有一定的电流流过二极管。

测定半导体二极管正反向伏安特性半导体二极管正向电阻很小，需防止电流超过二极管允许的正向电流值；而二极管反向电阻又很大，应改换电路，并且注意外加反向电压不得超过二极管的反向耐压。

二极管的伏安特性正向特性在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式际为正向偏置。只有当正向电压达到某一数值以后，二极管才能真正导通。

二极管的伏安特性是指加在二极管两端电压和流过二极管的电流之间的关系，用于定性描述这两者关系的曲线称为伏安特性曲线。

MOS管伏安特性（mos管伏安特性曲线分析）

1、为了提高MOS管的电气特性，尤其是耐压和耐电流能力，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET），其具体工作原理为（参见下图）：截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。

2、MOSFET是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，其工作原理按导电沟道可分为P沟道和N沟道。

3、小功率MOS管是横向导电器件。电力MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET）。

4、MOS管，即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这个名字描述了集成电路中MOS管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。

1、不一定。看管子的，看输出特性曲线就知道了。NJFET在恒流区有这个性质，UGS一定是负值且，UDS是正值。但耗尽型NMOS在UGS为正、负、0的情况下都能工作，后两种可以说UDS一定大于UGS，但第一种情况下未必。

2、栅源电压大于0：n沟道耗尽型mos管恒流区栅极上需要施加正向偏压，当栅源电压大于0时，栅极与源极之间的绝缘层中的电子空穴对被击穿，形成导电沟道。

3、第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如，3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。

4、因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。

5、这是个自给偏置的电路结构，所以栅极电压确定了，那么源极电压也就确定了；另外BSS169为N沟道耗尽型场效应管，在 Ugs=0V，即具有导通能力，也就是说，Ug=5V时，Us=5V。

算一下几个值就好了，UGS=6V。UDS=8V。

增强型：UGS=0时，管内无沟道建立，加上UDS后，也无漏极电流ID。N沟道：D和S极为N型半导体，衬底为P型半导体。工作原理：（1）UGS=0 管内无沟道建立，DS之间等价于2个背对背的二极管串联。

nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。

关系是S极电压可以无条件到D极，MOS管就失去了开关的作用。MOS管是指场效应晶体管，有G(gate栅极)/D(drain漏极)/S(source源极)三个端口，分为PMOS管(P沟道型)和NMOS(N沟道型)两种。

这是个自给偏置的电路结构，所以栅极电压确定了，那么源极电压也就确定了；另外BSS169为N沟道耗尽型场效应管，在 Ugs=0V，即具有导通能力，也就是说，Ug=5V时，Us=5V。

MOS管有四个极：漏极Drain，源极Source，栅极Gate，衬底Bulk。

场效应管的抗辐射能力强；由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

主要特点有：(1)场效应管是电压控制型，栅极无电流。双极型晶体管是电流控制型，必须有基极电流。(2)场效应管只有一种载流子参与导电，称为单极型。而双极型晶体管同时有自由电子和空穴参与导电。

特点：由栅极电压控制其漏极电流，是电压控制型器件。主要作用：放大，恒流，阻抗变换，可变电阻和电子开关等。

特点：（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS来控制ID；（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。

场效应管的特点就是利用多数载流子导电，温度稳定性较好。场效应管是电压控制器件，它通过VGS（栅源电压）来控制ID（漏极电流）；场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107—1012Ω）很大。