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mos管漏源导通电阻
1、MOSFET的导通电阻 Ron=δVds/δId|(Vds很小) = 1/[β(Vgs-VT)] ，实际上，线性区的漏电导正好等于导通电阻Ron的倒数； 如果是电流饱和区，则交流电阻近似为无穷大，直流电阻也是很大的。
2、mos管漏源导通电阻的计算公式为：Ron=1/[β(Vgs-VT)]。其中，Vgs是MOS管的栅源电压，VT是MOS管的阈值电压，β是MOS管的放大倍数。
3、你好，MOS管DN3525N8-G导通电阻是 6 欧姆。
4、静态漏源导通电阻RDS(on)，在特定的VGS（通常为10V）、结温和漏极电流的条件下，MOS管7N65导通时漏极和源极之间的最大电阻。这是一个非常重要的参数，决定了MOS管7N65开启时的功耗。该参数通常随着结温的增加而增加。
228mos管和3713mos管比较
1、几毫欧姆到几百毫欧姆。MOSFET的尺寸会影响其内阻，较大的MOSFET具有较低的内阻，而较小的MOSFET则有较高的内阻，大概在几毫欧姆到几百毫欧姆之间变化。
2、mos管的电流为260a。MOS管，即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为金属-氧化物-半导体，描述了集成电路中的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。
3、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.成本问题：三极管便宜，mos管贵。功耗问题：三极管损耗大。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
4、MOS管：管分为PMOS管和NMOS管，属于绝缘栅场效应管。三极管：是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
5、MOS管属于电压控制。成本方面：三极管价格比MOS低。功耗方面：三极管损耗比MOS大。驱动能力：三极管用于数字电路开关控制。MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。
6、MOS管(场效应管)的导通压降下，导通电阻小，栅极驱动不需要电流，损耗小，驱动电路简单，自带保护二极管，热阻特性好，适合大功率并联，缺点开关速度不高，比较昂贵。
MOS管和IGBT管有什么区别?为什么有些电路用MOS管?而有些电路用IGBT管...
1、IGBT单管和MOS管的区别：从结构来说，以N型沟道为例，IGBT与MOSFET（VDMOS）的差别在于MOSFET的衬底为N型，IGBT的衬底为P型。
2、IGBT焊机和MOS管有3点不同：两者的含义不同：IGBT焊机的含义：逆变过程需要大功率电子开关器件，采用绝缘栅双极晶体管IGBT作为开关器件的的逆变焊机成为IGBT逆变焊机。MOS管的含义：MOS管，是MOSFET的缩写。
3、焊机用IGBT管和MOS管的区别 MOS管一般用在小功率焊机上，MOS管一般特性就是小电流比较稳定，成本低廉，小型号民用机用的比较多。IGBT一般用在大功率焊机上，稳定性和频率比MOS管更稳定，只是造价比较高，一般用在工业焊机。
4、驱动电路区别 IGBT输入电容要比MOS大，因此需要更大电压驱动功率，mosfet一般在高频且低压的场合应用，即功率＜1000W及开关频率＞100kHZ，而IGBT在低频率高功率的场合表现较好。
5、首先一个从外形上面区别：IGBT 绝大多数是TO-3P封装，要大一些。MOS管 大部分为TO220封装要小一些。（当然不能说绝对）其次如果从元件内部去分析。一般IGBT，里面是内置有一颗快恢复二极管，而MOS管一般没有。
6、MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度比三极管快。