mos管正负（mos管正负转换）

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1、NMOS管分G，D，S极，不是三极管的b，c，e极。

2、N型mos晶体管的电流是电子从源极漂移到漏极而形成的电子电流，因此源极应该接负极、漏极应该接电源正极。P型mos晶体管的电流是空穴从源极漂移到漏极而形成的电流，因此源极应该接正极、漏极应该接电源负极。

3、因为是n沟道场管所以最容易的接法是放负极，如果是p沟道mos管，那就一般接到正极。

4、mos管由漏极、源极和栅极组成，还分为N沟和P沟两种mos管。首先我们将漏极接到电源正极，源极接到电源负极。

5、G：gate栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。

在图一，是个Nmos，只能S极接地。因为通过Vgs的电压来开关mos。S极接地则S极的电势是0V。只需控制G极，即Vin1来控制这个Nmos。Vin1是高电平，则mos打开，Vin1是低电平，则mos关断。

N型mos晶体管的电流是电子从源极漂移到漏极而形成的电子电流，因此源极应该接负极、漏极应该接电源正极。P型mos晶体管的电流是空穴从源极漂移到漏极而形成的电流，因此源极应该接正极、漏极应该接电源负极。

是的，G极的电压需要2-4V之间。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。

MOS管在开关电路的作用是信号的转换、控制电路的通断。

对于以多晶硅为栅极的器件，器件的阈值电压因多晶硅的掺杂类型以及掺杂浓度而发生变化。可见，在正常条件下，很容易得到增强型PMOS管。为了制得增强型NMOS管，则需注意减少Qss、Qox，增加QB。

增强型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面没有沟道存在。也就是说，对于NMOS，阈值电压大于0；PMOS，小于0。耗尽型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面已有沟道存在。也就是说，对于NMOS，阈值电压小于0；PMOS，大于0。

MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，MOSFET的重要参数之一。

如MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要参数之一。

mos管正负（mos管正负转换）

1、首先先判断MOS管三个脚的极性，其中G级（栅级）不用多说比较好认，S级（源级）不论是P沟道还是N沟道，两线相交的便是，D级就是单独引线的那边。然后是P沟道与N沟道的判断。

2、使用有寄生二极管的P沟道MOS管，S的电压要高于D的电压，原因同上。下面是MOS管的导通条件，只要记住电压方向与中间箭头方向相反即为导通（当然这个相反电压需要达到MOS管的开启电压）。

3、使用方法如下：三个极的判定栅极（G）：中间抽头源极（S）：两条现相交漏极（D）：单独引线沟道判定N沟道：箭头指向G极。使用时，D极接输入，S极接输出。 P沟道：箭头背向G极。