本文目录一览：
- 1、MOS管的高电平低电平到底指什么样的电压为高低?
- 2、MOS管夹断电压疑惑,而由图片可以得知,VDS此时出于夹断电压的点时VDS=...
- 3、MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少?
- 4、nMOS管栅极电压
MOS管的高电平低电平到底指什么样的电压为高低?
高电平和低电平的意思：高电平指的是与低电平相对的高电压；低电平指的是与高电平相对的低电压。高电平，指的是与低电平相对的高电压，是电工程上的一种说法。
高于0V的就可以称为高电平，低于0V的就可以称为低电平。高电平，指的是与低电平相对的高电压，是电工程上的一种说法。
N沟道的MOS管 D流向S G大于S极4V左右就完全导通。 P沟道的MOS管 S流向D S大于G 4V左右 完全导通，我觉的没有必要太注重几V是高低电压。了解导通条件就可以了。
低电平是：0.0V-0.4V。对于CMOS来说高电平是：99-0v。低电平是：0.0-0.01v。对于高低电平之间的电压属于不定电压，在这个电压下会使器件工作不稳定。
MOS管夹断电压疑惑,而由图片可以得知,VDS此时出于夹断电压的点时VDS=...
1、你应该站在中间那个门极想两边的源极和漏极看，以门极为中心，如果说Vgs大于开启电压时，形成沟道。
2、mos管vds电压计算方法：根据P=I*I*R，得出I=3A。所以MOS管的选型应Vds＞272V，ID＞3A。你所问的Vds是指D极相对于S极的电压，也就是由原来的参考地改为以S作为参考。
3、有四种可能：增强型MOS管；耗尽型MOS管；耗尽型MOS管；结型管。见图：。
MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少?
1、MOS的阈值电压，即是所谓的开启电压，不同型号的阈值会有不同的值；而通常情况下还与其耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。
2、nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。
3、MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。
4、解析：你是指CMOS集成电路中的MOSFET导通电压么？对于CMOS电路来说，导通电压左右，也就是阈值电压是与工艺有关的。例如0.35um的工艺，PMOS的阈值电压为-0.7V左右，NMOS小一些，可能0.6V左右。
nMOS管栅极电压
1、nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。
2、MOS管的导通状态主要取决于栅极电压的大小。当栅极电压大于0V时，即栅极相对于源极的电压为正时，会在半导体基底中形成一个导电沟道，使得漏极和源极之间的电流可以流通，此时MOS管处于导通状态。
3、N--D之间电压应符合耐压极限参数，超出太多当然容易击穿损坏的。具体可查你选用元件手册。
4、在你测量的过程中，如果栅极悬空被空间电荷或者感应电荷存储了，也或者在用万用表对栅极电容进行了充电操作，都会让MOS管的DS持续保持导通。如果电压过高，栅极可能击穿损坏。