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如何使用multisim绘制MOS管的转移特性曲线?
做如下一个电路，用DC扫描分析，（simulate | analysis | DC sweep）描V3，输出V1电流，适当设置开始电压、终止电压和步长。
比如测一个MOS管的转移特性，具体步骤，谢谢 我来答 分享 微信扫一扫 网络繁忙请稍后重试 新浪微博 QQ空间 举报 浏览427 次 可选中1个或多个下面的关键词，搜索相关资料。也可直接点“搜索资料”搜索整个问题。
双击BJT图标出现对话框。点击Editmodel，出现含有β参数显示BF的对话框。修改β参数。再次点击已修改参数之前或之后的部分，使整行呈深颜色显示，同时对话框下边的changepartmodel由灰暗变为清晰有效。
打开multisim，点击“工具”按钮，即那个扳手形状的按钮。在下拉列表中选择三极管的图像标志，然后在二重下拉列表中选择IGBT即可。
当uGSUTN时，MOS管是截止的。当uGSUTN之后，只要在恒流区，转移特性曲线基本上是重合在一起的。曲线越陡，表示uGS对iD的控制作用越强，也即放大作用越强，且常用转移特性曲线的斜率跨导gm来表示。
MOS管的工作原理
1、pn结的形成pn结的形成是在p型半导体与n型半导体之间在电场的作用下的扩散运动形成的势垒区（domain）。pn结的导电能力半导体中的电子必须从低能级跳到高能级，才能形成自由载流子（freecarrier）。
2、mos管工作原理是N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。
3、当通道的控制电压较低时，通道内的电流较小；当通道的控制电压较高时，通道内的电流较大。MOS管的工作原理可以用下图所示的电路来解释：图中的R1和R2分别表示MOS管的基极和漏极。
4、场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。
5、工作原理：在MOSFET中，连接极与P沟道区域之间隔离，因此不会直接通过电流。连接极上的电压会影响N沟道区域的电流。当连接极的电压升高时，N沟道区域的电流会增加，电流就会从源极流入汇极。
mos管开关特性
1、MOS管的开关特性：MOS管最显著的特点也是具有放大能力。不过它是通过栅极电压uGS控制其工作状态的，是一种具有放大特性的由电压uGS控制的开关元件。静态特性 MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。
2、低输入电流：MOSFET的栅极是电容性的，只需很小的电流就能充放电，因此它的输入功耗非常低。这使得MOSFET在频繁开关和高效率要求的应用中非常有优势，如电源开关、放大器等。
3、这个肯定是已知的 就是你的供电电压 vcc 我猜你这个应该是vds 是10到12v 我们看图上 当vds=10v的时候 只有当 ugs 约大于9v之后，交点才在mos管的可变电阻区（饱和区） 所以说 要9v以上 才能让管子完全导通。
4、好的MOS管应该具有较快的响应速度和稳定的开关特性。响应速度是指MOS管从开启状态到关闭状态或者从关闭状态到开启状态的时间，而开关特性则关注MOS管在不同电压和电流条件下的开关性能。
5、MOS管的特性 开关特性。MOS管是压控器件，作为开关时，NMOS只要满足VgsVgs(th)即可导通，PMOS只要满足Vgs。开关损耗。MOS的损耗主要包括开关损耗和导通损耗，导通损耗是由于导通后存在导通电阻而产生的，导通电阻都很小。
6、常见pwm驱动mos管开关电路：只是单个MOS管的普通驱动方式像这种增强型NMOS管直接加一个电阻限流即可。由于MOS管内部有寄生电容有时候为了加速电容放电，会在限流电阻反向并联一个二极管。
关于MOS管的特性曲线问题
1、这个肯定是已知的 就是你的供电电压 vcc 我猜你这个应该是vds 是10到12v 我们看图上 当vds=10v的时候 只有当 ugs 约大于9v之后，交点才在mos管的可变电阻区（饱和区） 所以说 要9v以上 才能让管子完全导通。
2、）一般判断增强型、耗尽型；当 Ugs = 0 时，Id 不等于 0，即是其绝对值大于 0 的，就是耗尽型，反之就是增强型；增强型的 Ugs 曲线不过 0，耗尽型的 Ugs 曲线必过 0；2）通常 Id 以流入漏极为正，流出为负。
3、定义参数t的点列，定义xx和yy为0，分别求存储和计算得到的bezier曲线对应的x坐标和y坐标的极板值。最后计算对应点列中bezier曲线的值，绘制贝塞尔曲线，相应的控制多边形和控制顶点，这样便画出了mos管特性曲线。
4、静态特性 MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。
5、mos管的特性曲线：耗尽型mos管通常被称为“开关导通”器件，因为它们通常在栅极端没有偏置电压时处于闭合状态。当我们以正向增加施加到栅极的电压时，沟道宽度将在耗尽模式下增加。这将增加通过沟道的漏极电流ID。