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求详解:MOS管,三极管,功率管,开关管之间的联系与区别
1、主体不同 MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。
2、三极管和场效应管是两种不同原理的半导体器件，但最后起的作用类似。根据不同的功能这两种都可用于做行管。你的这些概念是不同的分类方式的不同叫法，比如按功率分三极管和场管都有大功率管和小功率管，大功率管简称功率管。
3、区别一：场效应管是在三极管的基础上而开发出来的。而三极管通过电流的大小控制输出，输入要消耗功率。场效应管是通过输入电压控制输出，不消耗功率。区别二：场效应管和三极管的是电压和电流控制，但这都是相对的。
4、MOS管和三极管有什么区别如下：控制原理不同 MOS管用电压控制，三极管用电流控制。成本造价不同 MOS管造价贵，三极管造价低。功率消耗不同 MOS管功耗低，三极管功耗大。
5、区别：载流子：三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。
MOS管的源极和漏极有什么区别
1、MOS管的三个极分别是：栅极G、源极S、漏极D。
2、漏极和源极互换，若两次测出的电阻都很大，则为N沟道；若两次测得的阻值都很小，则为P沟道。判定源极S、漏极D：在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。
3、不一样。源极（source）source资源，电源，中文翻译为源极。起集电作用的电极。漏极（drain）drain排出，泄漏，中文翻译为漏极。起发射作用的电极。
4、漏极的意思是是晶体管的主要输出引脚，它连接到N型半导体区域。漏极负责接收输出电流，并将其输出到其他电路中。源极的意思是晶体管的主要输入引脚，它连接到N型半导体区域。源极负责输入基准电流，并控制晶体管的工作状态。
5、场效应管MOSFET 栅极(gate electrode)gate，门的意思，中文翻译做栅，栅栏。electrode，电极。源极(source)source资源，电源，中文翻译为源极。起集电作用的电极。漏极(drain)drain排出，泄漏，中文翻译为漏极。
6、gate相当于一个门（开关）VG大于VT管子导通，源就是电子来源的地方，漏就是电子消失（漏掉）的地方。
mos管三个极分别是什么极?
1、MOS管是集成电路中的绝缘性场效应管。它的三个极分别是：栅极、漏极和源极。栅极简称为G；源极简称为S；漏极简称为D。
2、MOS管三个极分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。当栅极和源极之间电压大于某一特定值，漏极和源极才能导通。
3、MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。
4、MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）通常具有三个引脚，它们是栅极（Gate）、漏极（Drain）和源极（Source）。