高压mos管1000v（高压mos管版图）

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日常见到的日本产品较多，像P，J开头的一般代表P沟道场效应管，例如J512，J448等，5P25，6P25等。K开头的一般是N沟道的场管，比如K2645，K2141，K3118等。

作为开关管来说，通常用MOS管或IGBT替代三极管。尤其是功率开关管，基本不用三极管。

可以用2TY（S8550）或2A（2N3906）代替。2A表示最常用的MMBT3906，MMBT3906是一颗通用晶体管。L6型号为“BSS69R”。PNP型高频小功率三极管，Vceo=40V、Ic=100mA、Pc=330mW、HFE=30-150、FT=200MHz、SOT-23封装。

主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。

达林顿管就是复合管，一般由两个三极管按一定方式连接而成，作用是扩大电流增益，例如两个增益都为100的晶体管复合后，就成为增益为10000的达林顿管；晶体三极管就是三极管，也可以叫晶体管。

场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。见下图。场效应三极管的型号命名方法现行有两种命名方法。

1、BUT11A是普通高反压NPN三极管指标：1000V 5A 100W 可以使用指标较高的BUT12A或常见的电视机电源管等代换。irfz4irf640是场效应管与普通三极管不同。

2、BUT11AI是高压开关管。参数是：硅、 NPN 、1000V/450V 、5A 、100W 、0.15/0.08μs。可根据以上参数找一合适的管子换之。

3、彩电电源开关管，在康力5405开关电源见过。一般的开关管都能代换。

1、海飞乐技术封装的1000V大功率MOS代替IXYS大功率MOS。选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。

2、MOSFET模块简称MOS模块，一般采用SOT-227封装，海飞乐技术封装碳化硅MOS管，SIC MOS模块，包括车用低压大电流MOSFET模块。功率MOS模块有以下优点：开关速度快，安全工作区宽，热稳定性好，线性控制能力强，电压控制。

3、美高森美的SOT227封装模块包含，整流二极管、快恢复二极管、肖特基二极管、MOS管，、IGBT、可控硅、整流桥、晶闸管、电源模块。种类和型号都比较多，现在都也不好找，我一直是找封装厂照着他们的参数封装的。

1、FR107的反向恢复时间是500nS，耐压是1000V，VF是7V，应该选用没有反恢复时间的肖特基或超快恢复二极管（35nS以下）。同时像这么高频率的电源都是低压的，二极管耐压可选低，这样VF就低了，效率就上去了。

2、当然是MOS管速度快了。可控硅导通容易，但是不能自行关断；IGBT常用于大功率设备，需要专门的驱动，所以速度也受影响。高速小功率建议用MOS管。

3、如果是低频开关电路，可以选三极管，高频的要选MOS管。三极和一般工作在线性区，比如做一些线性电源。MOS管就要工作在完全开通状态。

4、对于MOS管的选型，注意4个参数：漏源电压（D、S两端承受的电压）、工作电流（经过MOS管的电路）、开启电压（让MOS管导通的G、S电压）、工作频率（最大的开关频率）。

高压mos管1000v（高压mos管版图）

海飞乐技术封装的1000V大功率MOS代替IXYS大功率MOS。选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。

MOSFET模块简称MOS模块，一般采用SOT-227封装，海飞乐技术封装碳化硅MOS管，SIC MOS模块，包括车用低压大电流MOSFET模块。功率MOS模块有以下优点：开关速度快，安全工作区宽，热稳定性好，线性控制能力强，电压控制。

越来越多的器件都追求精细化，对元器件的体积要求越来越高，SOT-227封装越来越多就是典型的一个例子，SOT-227封装介于单管和模块之间。