mos管光耦（mos管光耦隔隔离开关）

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1、两个三极管QQ3是开关推挽工作，正常逻辑应该是这样：光耦TF1有信号时，上管Q2导通，驱动MOS管开通。光耦TF1无信号时，上管Q2截止，下管Q3导通，迫使MOS管关断。

2、最好是用大功率的三极管（非达林顿的），其次是N-MOSFET，达林顿的一些效应比较特殊，控制起来比前两者都麻烦。如果可以，不要用PNP管或者P-MOSFET，这些管子的成本高，控制比较麻烦，性价比很低，不如NPN和N-MOSFET。

3、MOS管驱动需要对栅极快充快放电，以降低管子开关损耗。用专门驱动电路或芯片的目的就是起到这个作用。用光耦由于里面只有一个三极管，驱动时只能做到快充或快放不能兼顾。

4、三极管和达林顿输出某个数值的电流，就必须要输入1/β的电流，否则不能工作。所以称为电流型驱动 MOS管没有这个要求，只需要控制电压就能控制其输出电流了。

5、光耦隔离与mos驱动的区别在隔离方式。光耦隔离驱动为电磁隔离，采用脉冲变压器实现电路的电磁隔离，是一种电路简单可靠，又具有电气隔离作用的电路。mos驱动是光电隔离，受自身参数的影响，频率不能做的很高。

光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。

光耦TLP521不能直接驱动mos管。tlp521是可控制的光耦合器件，光电耦合器件广泛运用在电脑终端机，可控硅系统设置，测量仪器、影印机、自动售票、家用电器，比如电风扇、加热器等。

增加电路的电流放大倍数和电压隔离。在电路设计中，使用达林顿管来驱动光耦合器再驱动MOS管的原因是为了增加电路的电流放大倍数和电压隔离。达林顿管是由两个晶体管级联组成的特殊结构，具有很高的电流放大倍数。

不建议使用以下这类用通用光耦搭的电路，有诸多麻烦。建议使用 TLP250 或类似芯片。

1、单片机任意一个I/O口通过一个三极管控制SG3525的10脚。I/O口和三极管基极间串个几K的电阻，发射极接地，集电极接SG3525的10脚同时接个10K电阻上拉至15脚。单片机发高电平时工作，低电平时关断。

2、应该要的，一般光耦驱动电流很小50mA MAX.如果你的驱动频率很高，因为S-D极电容比较大，电流小，一下子充不满，达不到驱动的电压的。

3、实际使用的时候，可以不加光耦的。如果为了加强抗干扰性和隔离可以加光耦。为保证有效导通，单片机的IO口最好加上拉电阻。

4、用光耦隔离后接继电器输出是控制高压大型电路的方法，可靠性当然更高。当然，可靠性最高的一定是三极管、光耦、继电器等一起上（这不废话么）。但它们的成本也是逐渐提高的，所以杀鸡还是不要用牛刀。

另外，这些器件中，磁耦、光耦的带载能力很弱，不适合用于电流较大、负载较低的场合使用。

光耦隔离是指在电路中，用光器件将输入信号和输出信号进行隔离的一种措施。光耦隔离具有高速、稳定、低噪声、耐高温等特点。

MOS管就是场效应管，场效应管是一种重要电子元件，现在被广泛使用，他具有和以前的电子管一样的特性，是一种电压控制元件，依靠电压信号进行放大，原理是依靠一个信号控制导电构宽度从而控制导电性，场效应管具有三个接脚。

方便安装、变压器驱动。内置驱动体积小，是和原车卤素灯一样，极大方便安装。隔离驱动是LED行业术语，驱动电路副边与主电路有耦合关系，满足高端MOS管的驱动，经常会采用变压器驱动。

光耦隔离的原理光耦隔离是一种电气隔离技术，它使用光学元件来隔离电路中的电信号，从而防止电气信号在电路中的传播。光耦隔离的原理是，将电信号转换成光信号，然后通过光学元件传输，最后再转换成电信号。

mos管光耦（mos管光耦隔隔离开关）

不一定。看管子的，看输出特性曲线就知道了。NJFET在恒流区有这个性质，UGS一定是负值且，UDS是正值。但耗尽型NMOS在UGS为正、负、0的情况下都能工作，后两种可以说UDS一定大于UGS，但第一种情况下未必。

栅源电压大于0：n沟道耗尽型mos管恒流区栅极上需要施加正向偏压，当栅源电压大于0时，栅极与源极之间的绝缘层中的电子空穴对被击穿，形成导电沟道。

第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如，3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。

因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。