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高压mos管650v的好还是600v的好
你说的这家公司的产品还不错，650v实际测试可以达到700v，之前我们又跟他们谈过，产品是好的，就是有些比国产的稍贵。
v。一般宽电压范围反激电源AC/85～265V的MOS管耐压选：650V，单电压范围反激电源AC/180～265V的MOS管耐压选：800V。
V MOS管 或者 650V MOS管 海飞乐技术，台湾芯片，质量可靠。
Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。
11A65参数及代换
目前这一款11A、650V低电流、高电压的MOS管是能够匹配：TK12A60W (东芝)、IPA60R600P7S这两款型号来代换使用的。FHP65R420的主要封装形式是TO-220F，脚位排列位GDS。
N60代换即可。k11a65d为N沟道场效应管，耐压500V，电流为15A，而12n60为N沟道场效应管耐压也是相同的，二者的电流电压参数相同，是可以代替更换使用的，并不会影响整体线路的电流传输。
电流12A，耐压650V可以用NCE20N65替换。11n65是一款二极管，参数为电流12A，耐压650V。可以用NCE20N65与其替换。二极管是用半导体材料制成的一种电子器件。
but11a参数可代替的有 三极管2SD5287可以直接使用BUT11A、2SC3153等等同类型的三极管代换。
是“2SB1116”吧？此管参数是：60V、1A、750mW.代换：2SA1282SA1312SB740、2SB1042SB1052SB1229。
N沟道耗尽型MOS管工作在恒流区时,g极与d极之间的电...
不一定。看管子的，看输出特性曲线就知道了。NJFET在恒流区有这个性质，UGS一定是负值且，UDS是正值。但耗尽型NMOS在UGS为正、负、0的情况下都能工作，后两种可以说UDS一定大于UGS，但第一种情况下未必。
栅源电压大于0：n沟道耗尽型mos管恒流区栅极上需要施加正向偏压，当栅源电压大于0时，栅极与源极之间的绝缘层中的电子空穴对被击穿，形成导电沟道。
第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如，3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。