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请问在通信开关电源测试时的VDS具体指的哪三个脚呢?
第2脚构成稳压取样、误差放大系统，正相输入端1脚输入逆变器次级取样绕组整流输出的15V直流电压，经RR2分压，使第1脚在逆变器正常工作时有近7～6V取样电压。反相输入端2脚输入5V基准电压(由14脚输出)。
首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚，也就是源极S和漏极D，余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。
当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。
MC33060作为主控芯片控制开关管的导通与截止，由其内部结构功能可知，在MC33060内部有一个+5V参考电压，通常用作两路比较器的反相参考电压，设计中1脚和2脚的比较器用来作为输出电压反馈，13脚和14脚的比较器用来检测开关管的电流是否过流。
mos管的vds和id怎么求?
利用I对V的偏导求。注意，这时候需要先判断MOS处于什么工作区域。例子：VdsMOS处于线形区。Id=u*Cox*（W/L）*[（Vgs-Vt）*Vds-0.5(Vds^2)]。
ID = 0.5 * μn * Cox * [(W / L) * (VGS - Vth)^2]其中：ID 代表漏极电流（Drain Current）。μn 是电子迁移率，反映了电子在半导体中的移动速度。Cox 是栅极氧化层的电容。W 是沟道的宽度。
mos管vds电压计算方法：根据P=I*I*R，得出I=3A。所以MOS管的选型应Vds＞272V，ID＞3A。你所问的Vds是指D极相对于S极的电压，也就是由原来的参考地改为以S作为参考。
实现vds或id其中一个为零，这样开关损耗p=v*i=0。根据软开关实现的方法不同，有ZVS，ZCS等电路。通态压降，是指开关器件导通时的两端电压差。
mos管的vgs是正还是负?
1、值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是负值。PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗，在电路中便于直接耦合，容易制成规模大的集成电路 。
2、N沟道场效应管导通时栅源电压VGS为正偏压。二是电流方向正好相反。P沟道场效应管的电流方向是由源极S流向漏极D，而N沟道场效应管的电流方向是由漏极D流向源极S。
3、为了能正常工作，NMOS管外加的Vds必须是正值，开启电压VT也必须是正值，实际电流方向为流入漏极。而与NMOS不同，PMOS管外加的Vds必须是负值，开启电压VT也必须是负值，实际电流方向为流出漏极。
4、mosfet实际常用的正驱动电压是Vgs一般为12~15V，低于20V，负栅压不超过5V。因为正驱动电压不能太大，具体还要根据实际情况来，如果是Si mosfet建议15V以上，Sic mosfet驱动电压一般要高于Si的。
5、②即便是N沟增强型MOSFET，其开启电压V(T)是一个大于零的正值，但Vgs0（在一定的限值内，否则可能栅极绝缘层击穿）也是可以的，只是管子处于截止状态（VgsV(T)）而已，所以可正可负。