mos管放电（mos管放电异常）

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1、pn结的形成pn结的形成是在p型半导体与n型半导体之间在电场的作用下的扩散运动形成的势垒区（domain）。pn结的导电能力半导体中的电子必须从低能级跳到高能级，才能形成自由载流子（freecarrier）。

2、MOS管的工作原理可以用下图所示的电路来解释：图中的R1和R2分别表示MOS管的基极和漏极。当控制电压Vc较低时，MOS管的通道内的电流较小，导致电流I从输入端流向输出端的电阻R3，最终流入漏极。

3、工作原理：在MOSFET中，连接极与P沟道区域之间隔离，因此不会直接通过电流。连接极上的电压会影响N沟道区域的电流。当连接极的电压升高时，N沟道区域的电流会增加，电流就会从源极流入汇极。

4、mos管工作原理是N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。

mos管放电（mos管放电异常）

1、近几年来平板电视机的开关电源大都采用大功率MOS管作为开关管，之所以采用MOS管是基于以下几方面的优势：输入阻抗高。输入阻抗之高，是普通大功率三极管无法比拟。

2、同等功率情况下，mos开关速度快，发热小，更节能。mos是电压型器件，栅极输入阻抗高，对电压非常敏感，只需uA级或mA级电流即可启动。而三极管的驱动电流较大，导通时间相对长，开关损耗就大。

3、MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。

4、IPB107N20N3G功率MOSFET的基本性能参数 IPB107N20N3G是一款高性能的功率MOSFET，具有低导通阻抗、高开关速度和高耐压等特点。

不一定。看管子的，看输出特性曲线就知道了。NJFET在恒流区有这个性质，UGS一定是负值且，UDS是正值。但耗尽型NMOS在UGS为正、负、0的情况下都能工作，后两种可以说UDS一定大于UGS，但第一种情况下未必。

栅源电压大于0：n沟道耗尽型mos管恒流区栅极上需要施加正向偏压，当栅源电压大于0时，栅极与源极之间的绝缘层中的电子空穴对被击穿，形成导电沟道。

第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如，3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。

因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。

这是个自给偏置的电路结构，所以栅极电压确定了，那么源极电压也就确定了；另外BSS169为N沟道耗尽型场效应管，在 Ugs=0V，即具有导通能力，也就是说，Ug=5V时，Us=5V。

1、首先，关闭设备，拔掉电源线，并等待一分钟以上。其次，重新插上电源线，打开设备。最后，如还不行，需要检查电源或保护板是否出现故障，并进行维修或更换。

2、你描述的应该是充过电了吧，过度放电的锂电池内部保护板处于输出关闭，保护板上的双向MOSFET处于截止状态，充电器输出的充电电压无法通过MOSFET加至锂电池两端。

3、估计不是电池坏了，而是保护板坏了，换保护板就可以了。单独把两个电芯充电，就可以恢复了，然后再串联使用。

1、充电时放电mos管会通电。充电的时候，电极接反了，可能烧毁MOS管。主要是接反后充电器电压和电池电压叠加而且相当于(P+，P-)输出短路，很快烧毁。

2、电池保护电路故障：电池保护电路或放电mos管可能存在故障，导致电池无法充电，需要检查并修理。电池内部损坏：电池内部可能存在损坏，导致电池无法正常充电，需要更换电池。

3、在你绝对保证电池不过充，不过放，不短路的情况下可以用。但是一旦短路还是有危险的，容易起火。保护板损坏一般会是放电的主MOS烧掉，主要原因是厂家设计不良，短路不过关。

4、，有时候充电器使用时间过长会导致变压器过热就可能冒烟。2，有时是稳压反馈电路有问题，导致输出电压升高好几倍，输出电压太高电流功耗大烧掉了的。

5、容易坏。在使用过程中受到过电压冲击或温度过高等因素的影响，就会导致MOS管受到损坏，失去原有的控制和调节功能。

6、控制器出问题。放电过程中MOS管没有完全打开，处于关闭或半打开状态，会导致控制器损坏，就会报警，是一种安全措施，保护使用者安全。

1、先对MOS管放电，将三个脚短路即可；首先找出场效应管的D极（漏极）。

2、在检测场效应管时要同德运网友说的那样，栅极G与源极S短接一下，放掉栅极的积累电荷。

3、用表红笔触发栅极G有效，说明该管为P沟道场效应晶体管。 \x0d\x0a\x0d\x0a2．判别其好坏 \x0d\x0a\x0d\x0a用万用表R×1k档或R×10k档，测量场效应管任意两脚之间的正、反向电阻值。