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为什么mos管压降那么大,具体如下图
选的型号不对额，可能mos管没有完全导通，可能mos管本身的内阻就大，那是因为mos管的内阻太大了；第二。
MOS管应该要用P-MOS而不是N-MOS，同时加一个电阻分压，防止Vgs过电压；电路用N-MOS的话，VT1截止Vg才为高电平，输出电压跟负载有关。
你的1N4743是稳压为13V的稳压管，现在电源都只有12V，所以D2其实并不起作用。Q1的状态其实是截止，Q1的集电极输出电压接近电源电压12V，G的电压是12V，但问题是UGS是多少呢？MOS管的状态是UGS决定的。
一般MOS管的反向压降是多少伏?
V。GS极的耐压值，正向和反向都是20V，超出这个值，管子会坏需要注意。MOS场效应晶体管通常简称为场效应管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件。
MOS管导通后，反向时主要是流过沟道，因为体二极管本身有比较大的二极管压降，约为0.7V，沟道相当于把体二极管给短路了。
不需要。低压应用使用5V电源时，此时如果使用传统MOS管工作原理图的图腾柱结构，由于三极管的be0.7V左右的压降，实际加到栅极的最终电压只有3V。
场效应管稳压允许压降10～15伏。场效应管驱动电压在10～15伏，最高电压为15V。稳压管稳压的电路如图a所示，R为限流电阻，现用一只结场型场效应管代替，如图b所示。
场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。
请问如何降低Mos管ds压降
根据以上原理分析，在你的问题中，如果要使MOS管作在开关状态，就要对栅极施加足够的电压，它才能充分起到开关作用。
对抗性方法：强制散热，增大散热片面积，将MOS管与散热片紧贴（加硅胶），必要时采用强制风冷（风扇吹）等等。
在你测量的过程中，如果栅极悬空被空间电荷或者感应电荷存储了，也或者在用万用表对栅极电容进行了充电操作，都会让MOS管的DS持续保持导通。如果电压过高，栅极可能击穿损坏。
对于高频磁性材料引起的损耗，要尽量避免趋肤效应，对于趋肤效应造成的影响，可采用多股细漆包线并绕的办法来解决。
MOS的导通压降不仅和导通电流有关，还和栅极控制电压有关。导通电流相同的情况下，栅极控制电压不一样，导通压降也是不一样的，因此即便导通电流增大，也可以通过改变栅极控制电压使导通压降减小。
单片机pwm驱动mos管的问题
A电流 在普通的 MOS管上产生的压降为 0.4V，不足以影响负载吧？门极导通电压为1V~4V，标称3V；7V的锂电池，饱和是2V，选择3V工作的单片机，足够驱动了。
应该不是MOS管发出的声音，可能是电容发出的声音。
电压值不够让MOS充分导通。PWM信号高电平是电压值不够让MOS充分导通，工作在饱和区；需要用三极管当做开关，使得控制MOS的高电平电压值接近15V。
应该是脉冲在震荡。需要你说的更清楚一点，比如如何驱动，MOS的负载是什么等。。