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MOS开关电路
1、MOS开关电路图电路图如下：AOD448是30V 75A的管子，是用5V驱动的，偏高了点。可以用AOD442，AO3416等管子，电压用5V就能驱动。当电压为5V时，只有26豪欧。电流2到3安没问题。
2、MOS管在开关电路的作用是信号的转换、控制电路的通断。
3、mos管的开关电路原理MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor）管的开关电路原理是通过控制门电压来控制通过MOSFET管的电流。当门电压高于源电压时，MOSFET管导通，当门电压低于源电压时，MOSFET管不导通。
场效应管保护电路
场效应管保护电路：一个电阻先和一个二极管并联，然后再和一个电容串联。一般在开关电源开关管上常用。也有一些继电器上用。用来消除MOS在连接一个电感，或是变压器，在开关状态下产生的反电动势。
场效应管在电路中的作用是用于调制、放大、阻抗变换、稳流、限流和自动保护电路。电路的简介：金属导线和电气、电子部件组成的导电回路称为电路。在电路输入端加上电源使输入端产生电势差，电路连通时即可工作。
都没用，最后把MOS管换成IRF3205就好了，什么其他的保护电路都不用加了。
场效应管防反接电路相比二极管防反接电路最大的优势是几乎零压降，二极管的压降一般都0.5V~1V左右，但是场效应管就不一样了，场效应管的内阻很小，小的只有几mΩ。
锂电池的保护电路：两节锂电池的充放电保护电路如图一所示。
如何详细解释MOS保护的原理?
1、(7). MOS场效应晶体管的栅极在允许条件下，最好接入保护二极管。在检修电路时应注意查证原有的保护二极管是否损坏。 VMOS场效应管 VMOS场效应管(VMOSFET)简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。
2、MOS电路通常用于控制电子流，如在晶体管和集成电路中。
3、当通道的控制电压较低时，通道内的电流较小；当通道的控制电压较高时，通道内的电流较大。MOS管的工作原理可以用下图所示的电路来解释：图中的R1和R2分别表示MOS管的基极和漏极。
4、mos可以被击穿。mos集成电路是单极型集成电路，在mos集成电路的输入端具有一个特性，就是mos可以被击穿，要加一个输入保护电路，原理是利用二极管的反向击穿保护mos。
5、MOS管是一种场效应晶体管，它是由金属、氧化物和半导体材料组成的。MOS管的原理是基于PN结的反向偏置效应，即当PN结处于反向偏置状态时，其电阻非常大，电流几乎为零。
6、MOS管的原理是基于场效应的，即通过控制栅极电场强度，改变半导体中载流子的浓度，从而调节电路的电流。MOS管的结构由金属栅极、氧化物绝缘层和半导体基底组成。
...控制T9的通断来控制mos管的通断求负载输出短路保护电路
1、估计你的负载短路保护电路是为了保护mos管。从图纸推断你的B-应该接地。
2、我们可以看到，N沟道的MOS管的电路中，BEEP引脚为高电平即可导通，蜂鸣器发出声音，低电平关闭蜂鸣器；P沟道的MOS管是用来控制GPS模块的电源通断，GPS_PWR引脚为低电平时导通，GPS模块正常供电，高电平时GPS模块断电。
3、MOS管开关电路是利用一种电路，是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。
什么是MOS保护?
电流的，如过电压，过电流，低压等，而MOS就相当于开关，保护IC+Mosfet可以实现的功能如下(四大保护)： 过充保护，当电池芯的电压超过设定值时，由保护IC切断Mosfet管。
MOS管短路保护电路的目的是防止过大的电流流过MOS管，避免其损坏或引起电路故障。短路故障可能是由于过大的负载电流、过压、过温等原因引起的。短路保护电路能够及时检测并切断故障电路，保护MOS管和整个系统的安全和稳定运行。
金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应，在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。当栅G电压VG增大时，p型半导体表面的多数载流子枣空穴逐渐减少、耗尽，而电子逐渐积累到反型。
mos可以被击穿。mos集成电路是单极型集成电路，在mos集成电路的输入端具有一个特性，就是mos可以被击穿，要加一个输入保护电路，原理是利用二极管的反向击穿保护mos。
而MOS在锂电池锂电池保护板上应用2pcs做为蓄电池充电维护，而在具体的工作上，依据不一样的运用，会应用好几个输出功率MOS管串联工作中，以减少通断电阻器，提高排热特性。
场效应管保护电路：用来保护场效应管的电路组合。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。