mos管栅极振荡（mos管栅极电压多少）

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1、增大栅极电阻式可以起到减小震荡的幅度，但是并不是就说栅极电阻越大越好，栅极电阻大了，会增大MOS管的开启和关断时间，使得MOS管的功耗增大。

2、栅极电阻太大了会与MOSFET的极间电容形成RC电路会严重印象MOSFET的充放电时间，造成MOSFET消耗功率过高，发热严重。

3、MOS管栅极上串个小电阻的主要作用是：改变管子栅极输入控制脉冲的前后沿陡度，以及防止寄生电容和电感形成的振荡，减小输出电压尖峰，从而防止MOS管被烧坏。满意请采纳。

4、EMI)。防止栅极振荡：在高频应用中，栅极电阻可以防止IGBT因为电路的寄生参数产生不稳定的振荡。提高稳定性：如果IGBT的驱动源有抖动或者噪音，大的栅极电阻可以帮助抑制这些干扰，提高系统的运行稳定性。

5、由上式可知，当上管开通时会在下管栅极产生阻尼衰减振荡信号，如图2所示。同理，当上管关断、下管开通时，上管栅极也同样会产生振荡，只是相位与前者相反，由于振荡频率很高，使MOSFET处于高频开关状态，产生很大的开关损耗。

6、除了器件本身属性，也可以使用外部电路来防止发生寄生振荡，这里有两种方法：（1）为每个MOSFET的栅极插入一个栅极电阻器R1或一个铁氧体磁珠，这样可减小谐振电路的品质因数，从而减小正反馈环路的增益。

mos管栅极振荡（mos管栅极电压多少）

有图吗？一般是用来分压，也就是给栅极与原极提供一个电压差。

拉电阻实际就是输入电流在它上面流过展开一个工作输入电压，以便MOS工作。若无此拉电阻，电压受控元件是无法工作的，它不像普通电流受控的三极管一样，由栅流控制集电极电流。

这个电阻是叫驱动电阻，一般来讲，值从0-数百欧姆都是可以的一般来讲就是在MOS的温度和EMI折中示波器里量测电阻前后对地波形，可以看到电阻前的PWM比后面的要直。

场效应管栅极与源极间的电阻起到保护场效应管不被静电击穿的作用，取值10K。栅极串联电阻决定场效应管的开通速度，取10~47欧。

缓冲电阻，针对栅极控制信号的。根据MOS管的栅极电容和工作频率来选择，一般在7欧到100欧之间。一般MOS管资料内也会有个相应的栅极串入电阻参考值。

1、这个问题不太好解决，换一个内阻比较小的开关管应该会好一些。但如果成本压力比较大，可以在开关管驱动电路上电阻上加一个反向的开关二极管。应该也会好一点。

2、根据电子发烧友网查询显示，在MOS开关过程中，栅极电阻小，发生了栅极电压震荡，是因为MOS源极寄生电感太大导致。栅极电阻小，开通速度快，寄生电感大，在寄生电感上产生的电压更大。

3、那种阻尼振荡只能减小，无法消除的。软开关技术也只能减很小，振荡还是有的。

4、如果没有硬性要求，可以把开关频率降一降。另外，负载处除了主要的电解电容，可以加一些钽电容试试。顺便说一下，光耦牵扯一个反逻辑的问题，不知道你注意了没有，如果没有在后面的驱动处最好做一下修正。

1、与9012推挽工作，基极电位高时9013工作，低时9012工作。IRF540换9013功能基本未变，但是，电流输出要小得多，而且前面的推挽也没有必要了。

2、个三极管串起来叫推挽工作。一个导通时另一个截止。另一个导通时这个截止。2对并接，如果输出端也并只是增加输出电流，如果不并，通常用作逆变电路或改变直流电机方向。

3、从mos管的电路符号可以知道栅极G和基底之间存在一个较大的寄生电容，这个电容也正是栅极能控制巨大电流通断的关键。学过模电的都知道，电容从零电压充电到额定电压是需要时间的，电容容值越大所需的充电时间就越长。