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mos管通俗易懂的工作原理是什么?
1、mos管通俗易懂的工作原理：芯片MOS（Metal Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体）管自上世纪中叶时期被发明以来，其工作原理变化不大（但材料和工艺随着制程演进变化较大）。
2、在金属中，响应外加场的电子密度非常大，以至于外部电场只能穿透很短的距离进入材料。然而，在半导体中，可以响应外加场的较低密度的电子（可能还有空穴）足够小，以至于场可以穿透到材料中很远。
3、MOS管由两个基极和一个漏极组成，其中基极之间形成一个控制电流的通道。当通道的控制电压较低时，通道内的电流较小；当通道的控制电压较高时，通道内的电流较大。
4、pn结的形成pn结的形成是在p型半导体与n型半导体之间在电场的作用下的扩散运动形成的势垒区（domain）。pn结的导电能力半导体中的电子必须从低能级跳到高能级，才能形成自由载流子（freecarrier）。
三极管是怎么驱动mos管的?
1、a. 三极管是电流控制型元件，MOS 管是电压控制元件；b. 正常工作时，三极管的两个PN 结一个正偏一个反偏，而MOS 管的两个PN 结均需 反偏；c. MOS 主要通过多子载流子导电，是“单极型”器件。
2、两种接法供参考，前一种作为开关用比较简单。后一种接法用在频率比较高的场合比较好。
3、答案是可以的！具体请参考如下分析：不过MOS驱动，有几个特别的需求 1，低压应用 当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有3V。
4、三极管是电流控制型器件。真正要弄明白三极管的工作原理要学量子力学，固体物理学，半导体物理学，晶体管原理4门课 mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。
5、增大充电电流是快速充电电容的关键所在。这样的充电电流同常达到安A级以上，这是单片机io口所不能达到的，所以我们需要用到三极管放大信号电流从而达到快速通断mos管的效果。
三极管、场效应管分别是什么控制元件
1、三极管是用于电压放大或者电路放大的控制器件。
2、场效应管是电压控制元件，而三极管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管。而在信号源电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应用三极管。
3、场效应管是电压控制器件，栅极基本不取电流，而晶体管是电流控制器件，基极必须取一定的电流。因此，在信号源额定电流极小的情况，应选用场效应管。场效应管是多子导电，而晶体管的两种载流子均参与导电。
mos管工作原理是什么?
1、mos管工作原理是N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。
2、MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。
3、MOS管由两个基极和一个漏极组成，其中基极之间形成一个控制电流的通道。当通道的控制电压较低时，通道内的电流较小；当通道的控制电压较高时，通道内的电流较大。
4、场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。
5、工作原理：在MOSFET中，连接极与P沟道区域之间隔离，因此不会直接通过电流。连接极上的电压会影响N沟道区域的电流。当连接极的电压升高时，N沟道区域的电流会增加，电流就会从源极流入汇极。
mos管发出超声
mos管发出超声 1 、三极管和MOS管的基本特性 三极管是电流控制电流器件，用基极电流的变化控制集电极电流的变化。
探头肯定要接到电路中才能工作，如果正常接收到合适幅度合适频率的超声波信号，接收端应该给出电平信号，如果出现一串脉冲信号，说明接收信号幅度和持续性不好。
理论上是只要给频率相当的电压信号，都是可以的。不过幅度越大，信号强度也就越大。所以一般都只是用单片机来驱动MOS管或者三极管。
应该不是MOS管发出的声音，可能是电容发出的声音。