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场效应管工作状态怎样区分?
：a是N沟道场效应管，由Id电流在Re上可能产生自给反向偏压，可能工作在恒流状态。2：b，c是N沟道增强型MOS管，GS要加上正向偏压才能工作，图中所示不可能工作在恒流状态。
判断管子，关键是要理清楚符号，场效应管有6个不同类型（NJFET、PJFET、增强型NMOS、增强型PMOS、耗尽型NMOS、耗尽型PMOS），符号，特性都不同，这部分只能靠记（多看看熟了也行）。
场效应管按结构可分为结型场效应管（缩写为JFET）和绝缘栅场效应管（缩写为JGFET），从导电方式看，场效应管分为N型沟道型与P型沟道型。绝缘栅型场效应管有增强型和耗尽型两种，而JFET只有耗尽型。
其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。作用：场效应管可应用于放大。
N绝缘型场效应管的放大工作必要条件为：GS端电压大于0，DS端电压大于0。（P型相反）在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。
很简单，这是一个P沟通的JFET，所以栅极输入负压导通。这个电路工作在开机状态，且电路此时处于导通状态。
mos管的临界状态
放大状态：当输入信号电压为高电平时，mos管的集电极电位由低向高变化，这时集电极电流i2增大。饱和状态：当输入信号电压为零时，mos管处于截止状态；此时集电极电流很小。
只要GS间电压够大，就可以导通了，截止的话就是倒过来，GS间电压够小就截止。
MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要参数之一 。
这是个自给偏置的电路结构，所以栅极电压确定了，那么源极电压也就确定了；另外BSS169为N沟道耗尽型场效应管，在 Ugs=0V，即具有导通能力，也就是说，Ug=5V时，Us=5V。
MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，MOSFET的重要参数之一 。
静态特性 MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。
如下图,NMOS管的工作状态是怎样的?
1、这是个自给偏置的电路结构，所以栅极电压确定了，那么源极电压也就确定了；另外BSS169为N沟道耗尽型场效应管，在 Ugs=0V，即具有导通能力，也就是说，Ug=5V时，Us=5V。
2、NMOS管的工作状态主要分为三类：截止区，线性区（或称为三极管区），以及饱和区。首先，截止区是当NMOS管的栅极电压低于阈值电压，使得沟道无法形成，源极和漏极之间处于高阻态。
3、NMOS管的源极与衬底相连接低电平；与非门是与门和非门的结合，先进行与运算，再进行非运算。与非门是当输入端中有1个或1个以上是低电平时，输出为高电平；只有所有输入是高电平时，输出才是低电平。
nmos管的工作状态分为哪几类
NMOS管的工作状态主要分为三类：截止区，线性区（或称为三极管区），以及饱和区。首先，截止区是当NMOS管的栅极电压低于阈值电压，使得沟道无法形成，源极和漏极之间处于高阻态。
这是个自给偏置的电路结构，所以栅极电压确定了，那么源极电压也就确定了；另外BSS169为N沟道耗尽型场效应管，在 Ugs=0V，即具有导通能力，也就是说，Ug=5V时，Us=5V。
MOSFET （金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种半导体器件，其主要作用是控制和调制电荷载流子（电子或空穴）在它内部形成的通道中的流动。
场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。