mos管驱动光耦（moc光耦）

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1、三极管输出类型的光耦；高速输出类型的光耦；逻辑IC输出类型的光耦；可控硅输出类型的光耦；继电器输出类型的光耦光耦是由三部分组成，就是“光的发射、光的接收及信号放大。

2、NPN型的光耦：输出信号是集电极开路输出，低电平有效，高电平相当于是悬空，没有直接带载的能力。信号端相当于接在负载的地，负载外部提供的电源需要和光电开关是共地的。

3、比较器输出低电平，封锁PWM驱动信号，关闭电源。比较器输入极性稍加变动，亦可用高电平封锁PWM信号。这种缺相保护电路采用光耦隔离强电，安全可靠，RPRP2用于调节缺相保护动作阈值。

mos管驱动光耦（moc光耦）

更换MOS管。改变电路结构，MOS管S接地，漏极接光耦发光二极管。改换三极管，MOS管换成普通三极管。

按工作电压分，可分为低电源电压型光电耦合器（一般5～15V）和高电源电压型光电耦合器（一般大于30V）单片机驱动三极管，然后驱动电磁继电器吧，中间加个发光二极管做提示，这样肯定没问题。

必要时可以加限流电阻限制光耦合输入电流），也就是通过串联电阻对电路电流采样，改变这个与白炽灯串联的电阻值，可以适应功率大小不同的灯泡，当然缺点在于电阻上还是要消耗一定的功率。

如果只检测有无，只要通过一个电阻接到单片机的IO口就可以了啊，最多再加个保护二极管。如果不能共地，那就用光耦隔离。

就算你画的电路图是对的也无法使可控硅BTA16-600B打开的！何况你画的可控硅符号是错误的。那个非门只是一个驱动作用而已，如果你的单片机的PWM输出的驱动能力够大的话可以不要这个非门。

1、光耦TLP521不能直接驱动mos管。tlp521是可控制的光耦合器件，光电耦合器件广泛运用在电脑终端机，可控硅系统设置，测量仪器、影印机、自动售票、家用电器，比如电风扇、加热器等。

2、光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。

3、增加电路的电流放大倍数和电压隔离。在电路设计中，使用达林顿管来驱动光耦合器再驱动MOS管的原因是为了增加电路的电流放大倍数和电压隔离。达林顿管是由两个晶体管级联组成的特殊结构，具有很高的电流放大倍数。

4、MOS管驱动需要对栅极快充快放电，以降低管子开关损耗。用专门驱动电路或芯片的目的就是起到这个作用。用光耦由于里面只有一个三极管，驱动时只能做到快充或快放不能兼顾。

5、如果输出端还接有电容就不奇怪，因为电容放电需要时间。时间长短与取决与并联于电容两端的阻抗。

1、两个三极管QQ3是开关推挽工作，正常逻辑应该是这样：光耦TF1有信号时，上管Q2导通，驱动MOS管开通。光耦TF1无信号时，上管Q2截止，下管Q3导通，迫使MOS管关断。

2、最好是用大功率的三极管（非达林顿的），其次是N-MOSFET，达林顿的一些效应比较特殊，控制起来比前两者都麻烦。如果可以，不要用PNP管或者P-MOSFET，这些管子的成本高，控制比较麻烦，性价比很低，不如NPN和N-MOSFET。

3、MOS管驱动需要对栅极快充快放电，以降低管子开关损耗。用专门驱动电路或芯片的目的就是起到这个作用。用光耦由于里面只有一个三极管，驱动时只能做到快充或快放不能兼顾。

1、它是以光为媒介来传输电信号的器件，A3120光耦是专门驱动场效应管或者IGBT的专用光耦， 5脚是负电压输入端，通常使用-5V电压。

2、光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。

4、增加电路的电流放大倍数和电压隔离。在电路设计中，使用达林顿管来驱动光耦合器再驱动MOS管的原因是为了增加电路的电流放大倍数和电压隔离。达林顿管是由两个晶体管级联组成的特殊结构，具有很高的电流放大倍数。

首先要说明石英晶体谐振器稳定度很高。越想得高稳的频率，就得使用更高稳定度的晶体。而高稳定度的晶体TS值都会很小。一个五泛音的晶体一般只能调整几个ppm。

，京瓷热敏晶振型号：CT开头。temperature-sensitive（热敏）2，京瓷晶振MHZ单元：CX开头。XTAL（晶体）3，京瓷时钟振荡器：KC开头。Clock Oscillators（时钟振荡器）4，京瓷压控晶振：KV开头。

有些晶振还可以由外加电压在一定范围内调整频率，称为压控振荡器（VCO）。晶振的作用是为系统提供基本的时钟信号。通常一个系统共用一个晶振，便于各部分保持同步。