mos管反向二极管（mos管反接电路）

本文目录一览：

是的。一般NMOS管只要保证GS端的电压大于开启电压，那么在DS间的电流不管正向、反向都能导通，当然，对于PMOS也一样。

可以，只是在正常的驱动电路上把D和S交换位置即可，是MOSFET导通，不通过体二极管，同步整流的MOSFET都是这么接的。就像下面这个简图。

电流只经过沟道，不经过衬底，没毛病。这里的沟道也叫“反型层”。沟道的作用：连接两个N掺杂区，这样就可以导通了。

可以流动，不会烧管。是否烧管决定于电流产生的功率。如果是VMOS管直接存在反向导通的寄生二极管，反向电流可以畅通无阻。

1、模拟电路书里讲的就是小功率MOS管的结构，所以没有这个二极管。

2、mos管本身自带有寄生二极管，作用是防止vdd过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对mos管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免mos管被烧坏。

3、由于MOS管工作频率比较高，所以它的寄生二极管工作频率也要高，就是说它的反向恢复时间很短（Trr)，所以也就相当于一个快恢复二极管了。

4、二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断（称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。早期的真空电子二极管；它是一种能够单向传导电流的电子器件。

mos管本身自带有寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。

这个二极管是MOSFET内部的等效电路。从这个结构上可以看出来源极和漏极之间存在一个PN结，而二极管本身就是有一个PN结形成的，所以这个结构就等效于在源极和漏极之间并联了一个二极管。

电阻是起限流的作用。二极管是在脉冲下降沿时起到对栅极放电的作用，使场效应管能快速截止，减少功耗。

不是栅-漏吧，应该是漏-源才是。这个是在制造过程中，MOSFET的源极金属板将二次扩散的N+区和P区连在一起，而等效出来的二极管。这个管子的存在对于MOSFET的静态和动态特性都有影响。PS：不是故意加上去的。

mos管反向二极管（mos管反接电路）

1、本身的寄生二极管就是防止有瞬间反向电流过大，可从此二极管释放，防止烧掉管子。所以一般承受电流能力可以，并不需要在并联反向二极管保护。

2、不能。1N5408是普通整流二极管，速度比快速恢复二极管慢得多，PN结电容也大得多，在高频信号作用下没有单向导通的效果，等于一支电阻。

3、mos管本身自带有寄生二极管，作用是防止vdd过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对mos管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免mos管被烧坏。

4、那个二极管主要加快MOS的关断速度，不过功率比较小的情况下效果不是太明显。

1、mos管本身自带有寄生二极管，作用是防止vdd过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对mos管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免mos管被烧坏。

2、那个二极管主要加快MOS的关断速度，不过功率比较小的情况下效果不是太明显。

3、mos管旁边并以二极管用于，防止mos管反向击穿。大部分二极管所具备的电流方向性通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断（称为逆向偏压）。

4、应该是在G、S之间吧。是二只反向串联的二极管，是起保护用的，防止G、S被静电击穿或电路上驱动电压太高，损坏MOS管。

5、本身的寄生二极管就是防止有瞬间反向电流过大，可从此二极管释放，防止烧掉管子。所以一般承受电流能力可以，并不需要在并联反向二极管保护。

1、那个二极管主要加快MOS的关断速度，不过功率比较小的情况下效果不是太明显。

2、MOS管，如果漏极与源极的电压反接，就是当作二极管来用了。MOS管，漏极和源极之间反并有一寄生二极管。

3、这是生产工艺造成的。漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构，漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向，没有这个二极管。

4、大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断（称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。