pwm控制mos管（pwm控制mos管恒流）

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A电流够大的，20V/10A，这样的参数，用大功率的场效应管或者IGBT了，这个功率电路设计是个难点，不太好搞，很容易烧东西，有一定危险性。

STC12C5410AD 单片机，是高速/ 低功耗/ 超强抗干扰的新一代8051 单片机，指令代码完全兼容传统8051，但速度快8-12 倍，内部集成MAX810 专用复位电路。4 路PWM，8 路高速10 位A/D 转换，针对电机控制，强干扰场合。

可以说STC12C5410AD单片机几乎包含了数据采集和控制中所需的所有单元模块，可称得上一个片上系统（SOC），可以很容易地构成典型的测控系统。

程序思路说明：关于频率和占空比的确定，对于12M晶振，假定PWM输出频率为1KHZ，这样定时中断次数设定为C=10，即0.01MS中断一次，则TH0=FF，TL0=F6；由于设定中断时间为0.01ms，这样可以设定占空比可从1-100变化。

pwm控制mos管（pwm控制mos管恒流）

1、电压值不够让MOS充分导通。PWM信号高电平是电压值不够让MOS充分导通，工作在饱和区；需要用三极管当做开关，使得控制MOS的高电平电压值接近15V。

2、不会。占空比不变，频率降低，对于PWM波来说，输出的有效值并没有降低。

3、A电流在普通的 MOS管上产生的压降为 0.4V，不足以影响负载吧？门极导通电压为1V~4V，标称3V；7V的锂电池，饱和是2V，选择3V工作的单片机，足够驱动了。

1、mos管的栅极g比源极s高5v—10v，mos管就可以导通。PWM输出占空比可调的方波，作为驱动输入mos管的栅极g，高电平时栅极电位高与源极5v就导通了；低电平时栅极电位也为低电平不满足mos管导通条件，则关断。

2、MOSFET开关时间改变电压的原理其实就是PWM（脉冲宽度调节）控制，开关电源里面的MOSFET都是和电感或者电容这些储能元件配套使用的。一般情况下MOSFET开的时候会向电感、电容这些元件中储存能量。

3、MOSFET工作原理如下：门极控制：门极连接到一块p或n型半导体材料，当门极电压为正时，MOSFET处于开启状态；当门极电压为负时，MOSFET处于关闭状态。

4、UC3842 是一种 PWM 控制芯片，常用于开关电源控制电路中。其工作原理如下：控制器接收反馈信号：开关电源中，通常会通过电感和电容等元器件构成一个反馈回路，将输出电压或电流的信息反馈给控制器。

5、MOSFET是金属-氧化物-半导体场效应晶体管的缩写。它是一种电子器件，用于控制和放大电流。 MOSFET的基本工作原理如下：MOSFET是由硅晶体制成的晶体管。

6、面积等效原理：分别将如图1所示的电压窄脉冲加在一阶惯性环节（R-L电路）上，如图2a所示。其输出电流i(t)对不同窄脉冲时的响应波形如图2b所示。

1、那么占空比的值就只有 0、50%、100%这三种。如果PWM频率是5k，那么一个PWM周期有2000个机器周期，占空比最小就可以去到1 / 2000 = 0.05%。

2、PWM信号是PWM，英文名Pulse Width Modulation，是脉冲宽度调制缩写，是一种模拟控制方式，根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置，来实现晶体管或MOS管导通时间的改变，从而实现开关稳压电源输出的改变。

3、所加PWM信号的占空比。通过改变所加信号的占空比去控制IC的输出脉冲。再由IC去控制开关管。实现PWM调光。PWM控制信号去控制IC然后IC再控制开关管就是这么个原理。改变导通与关断的时间比也就是你说的开一会关一会。

4、因为mos有降频效果。MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。

5、mos管的栅极g比源极s高5v—10v，mos管就可以导通。PWM输出占空比可调的方波，作为驱动输入mos管的栅极g，高电平时栅极电位高与源极5v就导通了；低电平时栅极电位也为低电平不满足mos管导通条件，则关断。