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电路中MOS管的跨导值是什么意思?
MOS的跨导。是指栅极电压与漏级电流间的关系。MOS管是电压控制器件。而输出是电流。物理学中，电压比电流是电阻 电流比电压是电导 这里是栅极电压与漏级电流，所以是跨导。
在MOS管中，跨导指MOS管输入端的电流变化与输出端电流变化的比值。具体来说，当MOS管工作在其放大区时，其输出电流随输入电流的变化而变化，并通过其跨导这种指标体现出来。
跨导（Transconductance）是电子元件的一项属性。电导（G）是电阻（R）的倒数；而跨导则指输出端电流的变化值与输入端电压的变化值之间的比值。跨阻（转移电阻），也常常被称为互阻，是跨导的双重性。
你要先理解正向跨导是什么意思，对于MOS管来说跨导描述的是VGS电压变化可以带动多少ID电流变化。GFS为7表示 当VGS电压变化1V时ID电流变化7A（限制条件是Vds=40V ID=75A）。
(Vds^2)]然后I对Vgs求偏导即可：g = partial （Id）/partial （Vgs）= u*Cox*Vds*（W/L）以上partial为偏导算符，打不出来，只能这么写了，u是载流子迁移率，Cox是单位栅电容大小，W和L分别是MOS的宽和长。
mos跨导和尺寸关系
Mos栅宽对跨导的影响是由于栅宽增加会使沟道宽度缩小，导致漏电流增大，从而影响MOS的跨导特性。当栅宽增大，漏电流增加，使得MOS管的跨导变大，因为跨导是漏电流的导数。
然后I对Vgs求偏导即可：g = partial （Id）/partial （Vgs）= u*Cox*Vds*（W/L）。以上partial为偏导算符，打不出来，只能这么写了，u是载流子迁移率，Cox是单位栅电容大小，W和L分别是MOS的宽和长。
跨导值越大，意味着可以用更小的栅源电压控制漏极电流发生更大的变化，意味着放大作用更大。跨导和漏极电阻的乘积，等于共源放大器的空载电压放大倍数（空载电压增益系数）。
MOS管的跨导怎么算?
例子：VdsMOS处于线形区。Id=u*Cox*（W/L）*[（Vgs-Vt）*Vds-0.5(Vds^2)]。然后I对Vgs求偏导即可：g = partial （Id）/partial （Vgs）= u*Cox*Vds*（W/L）。
跨导的单位为S（西），为欧姆的倒数，即1S=1/Ω。此定义适用于任何电压控制型放大元件，如电子管（真空三极管）、场效应管等。
MOS的跨导。是指栅极电压与漏级电流间的关系。MOS管是电压控制器件。而输出是电流。物理学中，电压比电流是电阻 电流比电压是电导 这里是栅极电压与漏级电流，所以是跨导。
跨导（Transconductance）是电子元件的一项属性。电导（G）是电阻（R）的倒数；而跨导则指输出端电流的变化值与输入端电压的变化值之间的比值。跨阻（转移电阻），也常常被称为互阻，是跨导的双重性。
在MOS管中，跨导指MOS管输入端的电流变化与输出端电流变化的比值。具体来说，当MOS管工作在其放大区时，其输出电流随输入电流的变化而变化，并通过其跨导这种指标体现出来。
因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。
MOS管的工作原理
pn结的形成pn结的形成是在p型半导体与n型半导体之间在电场的作用下的扩散运动形成的势垒区（domain）。pn结的导电能力半导体中的电子必须从低能级跳到高能级，才能形成自由载流子（freecarrier）。
mos管工作原理是N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。
当通道的控制电压较低时，通道内的电流较小；当通道的控制电压较高时，通道内的电流较大。MOS管的工作原理可以用下图所示的电路来解释：图中的R1和R2分别表示MOS管的基极和漏极。
