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ASEMI高压MOS管10N60的特征是什么?
N60 ：N沟道MOSFET功率，10A 600V。10N60是耐压600V，电流10A的N沟道场效应管。13N50是耐压500V，电流13A的N沟道场效应管。只要你的实际应用电压不超过400V，就可以代换。电流不用考虑了。场效应晶体管简称场效应管。
MOS场效应管60N10比较“娇气”。这是因为它的输入电阻很高，而栅极和源极之间的电容很小，很容易被外界电磁场或静电的感应充电，少量的电荷就可以形成一个比较高的电极间电容上的电压，会损坏管子。
型号不同、耐压不同和电流不同。型号不同：10N60C为N沟道增强型高压功率MOS场效应管，10N60为N沟道场效应管。耐压不同：10N60C的耐压为600V，10N60的耐压为400V。
场效应管。根据查询爱问知识网显示，10n60p的参数是场效应管，制造商零件编号10n60，种类MOSFET，沟道类型N。
不是。10N60是耐压600V，电流10A的N沟道场效应管，不全都是塑料封装，封装方式都不一样，每种封装方式都有不同的含义，其在产品质量、效能与生产工艺上追求卓越品质。
500a大电流mos型号
1、mos管型号如下：增强型mos管：采用双栅极结构或耗尽层结构的增强型mosfet的栅源电压为8v左右。肖特基势垒二极管：其正向漏极电流密度可达100a/dtl以上。这种器件工作于反向击穿区时能承受较大的浪涌电流冲击。
2、使用测试仪器：使用万用表或测试仪器对MOS管进行测试，可以得到一些参数，如漏极电流、漏极电压等，然后通过这些参数来推测MOS管的型号。
3、有很多电流等级，也有进口和台产的芯片在内地封装的。
ASEMI高压MOS管10N65是什么封装的?
N60属于TO-220AB封装系列。它的本体长度为187mm，加引脚长度为28mm，宽度为16mm，高度为7mm，脚间距为54mm。
该封装只有低压MOS管(电流10A以下、耐压值60V以下)和高压1N60/65在采用，主要是为了降低成本。
那么ASEMI的MOS管10N65如何测量好坏呢？测量mos管10N65好坏时要注意的几点 在测试mos管时，您需要采取一些预防措施。主要是：必须保证输入电源大于等于MOS管10N65的阈值电压。
网上可以查到的。通常这种型号，导通电阻都是毫欧级的，很小。