本文目录一览：
- 1、M0S管源极电阻是怎么计算的?
- 2、MOS管的功耗计算方法?Mos管发热严重解决方法?MOS管选型?
- 3、MOS管总发烧?大部分就是这四个原因
- 4、如何计算Rds(on)
- 5、mos管的电阻公式
- 6、如何详细解释MOS保护的原理?
M0S管源极电阻是怎么计算的?
mos管漏源导通电阻的计算公式为：Ron=1/[β(Vgs-VT)]。其中，Vgs是MOS管的栅源电压，VT是MOS管的阈值电压，β是MOS管的放大倍数。
开关电源中MOS的源(S)极的那个下地电阻是过流保护的取样电阻，它的取值应该与过流设定值和芯片的保护阀值电压有关，一般计算应是：电阻值=芯片保护阀值电压/过流电流设定值。
MOSFET的导通电阻 Ron=δVds/δId|(Vds很小) = 1/[β(Vgs-VT)] ，实际上，线性区的漏电导正好等于导通电阻Ron的倒数； 如果是电流饱和区，则交流电阻近似为无穷大，直流电阻也是很大的。
如图，在MOS管中，漏极所接线是位线而栅极所接线就是字线。字线为高电平时T管导通，字线为低电平时则截止。
- Rds是MOS管的输出电阻；- R0是漏极电阻，代表了MOS管导通时的固有电阻；- Vgs是栅源电压；- Vth是阈值电压，表示MOS管开始导通的门源电压差；- Id是通过器件的电流。
用测反向电阻值的变化判断跨导的大小对VMOS管N沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D，这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的，管的反向电阻值是很不稳定的。
MOS管的功耗计算方法?Mos管发热严重解决方法?MOS管选型?
如果MOS管没有完全饱和导通，必须按实际漏极源极的电压和电流计算。额定功率是指使用足够大的散热器所能承受的耗散功率。9W的话，必须加足够的散热器。
驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为：I=cvf，考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想办法降低c、v和f。
首先，MOS管发热的原因是什么？MOS选型不合理，内阻较大，或者是封装导热性不好，导致温升较高。散热效果不好，MOS管是贴在PCB板上的还是拧在散热片上的。
MOS管总发烧?大部分就是这四个原因
开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关，所以要解决功率管的发热可以从以下几个方面解决：A、不能片面根据导通电阻大小来选择MOS功率管，因为内阻越小，cgs和cgd电容越大。
MOS管发热的原因：\x0d\x0a电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。
A和B点，这就是两个关键的测试点，基本上反映了开关电源的工作状态和故障所在，导通的时候的尖峰电压和尖峰电流非常大，如果能够将导通的尖峰电压和尖峰电流消除，那么损耗能降一大半，MOS发热的问题就能解决。
如果希望工作在开关状态。MOS管的驱动方式不正确。由于MOS栅极有很大的电容（几百上千Pf ）因此开关开通与关断过程很长，会造成很大的损耗。所以会发烫。MOS管用于开关运行时需要良好的驱动电路。
再有Mos发热还跟你的开关时间有关系，就是说加在mos管G极的信号是不是很好的方波，因为mos从截至到饱和必须划过放大区，而放大区的结功耗要大的多。
变压器缝隙不合适，变压器容易啸叫，开关电源振荡波形谐波大，消波支路不工作，输出波形不对称，功率管激励不足，容易发热。
如何计算Rds(on)
1、mos的内阻值在70到200欧姆之间。因为mos接触电阻、通道电阻、扩散区电阻件值通过的阻值在70到200欧姆。根据公式RS=1/gm-(RDS(on)+RCH)计算可得在70到200欧姆之间。
2、这个温度值如何通过计算预先得知呢，也就是说在设计阶段，也就是硬件没有安装的时候，就可以知道Rdson的值呢。我觉得大概可以通过功来换算成发热量，但是如何由发热量来估计实物的温度啊。
3、用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。因为测试前提不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。
4、N60C可以代换2N60的。2N60是功率场效应管参数是：硅、500V、2A、55W、RDS（on）≤5．1Ω、带阻尼；12N60C也是功率场效应管，参数：硅、600V、12A、51W、RDS（on）＝0．65Ω、带阻尼。
mos管的电阻公式
1、因为mos接触电阻、通道电阻、扩散区电阻件值通过的阻值在70到200欧姆。根据公式RS=1/gm-(RDS(on)+RCH)计算可得在70到200欧姆之间。m为MOS管的跨导值（即导数），RDS(on)为硅片表面的接触电阻，RCH为沟道电阻。
2、MOSFET的导通电阻 Ron=δVds/δId|(Vds很小) = 1/[β(Vgs-VT)] ，实际上，线性区的漏电导正好等于导通电阻Ron的倒数； 如果是电流饱和区，则交流电阻近似为无穷大，直流电阻也是很大的。
3、导通内阻用工具无法测量，但是可以根据以下公式判断：R=U/I。也即，导通时候电流I可以测量，MOS管压降U可以测量（供电电压减去负载电压）。
如何详细解释MOS保护的原理?
(7). MOS场效应晶体管的栅极在允许条件下，最好接入保护二极管。在检修电路时应注意查证原有的保护二极管是否损坏。 VMOS场效应管 VMOS场效应管(VMOSFET)简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。
MOS电路通常用于控制电子流，如在晶体管和集成电路中。
当通道的控制电压较低时，通道内的电流较小；当通道的控制电压较高时，通道内的电流较大。MOS管的工作原理可以用下图所示的电路来解释：图中的R1和R2分别表示MOS管的基极和漏极。
mos可以被击穿。mos集成电路是单极型集成电路，在mos集成电路的输入端具有一个特性，就是mos可以被击穿，要加一个输入保护电路，原理是利用二极管的反向击穿保护mos。