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为什么MOS管可以做很大的功率,三极管则不行呢?是什么原因
1、mos管(场效应管)的导通压降下，导通电阻小，栅极驱动不需要电流，损耗小，驱动电路简单，自带保护二极管，热阻特性好，适合大功率并联，缺点开关速度不高，比较昂贵。
2、mos是电压型器件，栅极输入阻抗高，对电压非常敏感，只需uA级或mA级电流即可启动。而三极管的驱动电流较大，导通时间相对长，开关损耗就大。同时，mos的Rds小，压降小，自身的耗散功率就小。
3、MOS管比三极管最大的优点是所需的驱动功率小。MOS是电压驱动，三极管是电流驱动。
集成电路芯片
芯片在电子学中是一种将电路(主要包括半导体设备，也包括被动组件等)小型化的方式，并时常制造在半导体晶圆表面上。
IC芯片是指集成电路芯片（Integrated Circuit Chip）的简称。它是一种将多个电子元件集成到一个半导体晶片上的微型化电路。
因此，芯片和集成电路的区别在于：芯片是一个具体的电子器件，而集成电路是一种电路设计方法。集成电路可以通过将多个电子器件集成在一个芯片上来实现，而芯片可以是一个独立的单元，也可以是一个更复杂的电路系统。
集成电路芯片的工作速度是由多个因素共同决定的。其中一个重要的因素是芯片内部电路的结构设计。除此之外，制造技术、工艺工程和温度等因素也会影响芯片的工作速度。
芯片是集成电路。芯片（chip）是半导体元件产品的统称，是集成电路（IC，integratedcircuit）的载体，由晶圆分割而成。
芯片是集成电路的一种实体形式，它是集成电路的一部分。芯片通常是一个小型的硅片，上面包含了许多微小的电子元件和电路。芯片可以是各种各样的，如处理器芯片、存储芯片和传感器芯片等。
228mos管和3713mos管比较
1、几毫欧姆到几百毫欧姆。MOSFET的尺寸会影响其内阻，较大的MOSFET具有较低的内阻，而较小的MOSFET则有较高的内阻，大概在几毫欧姆到几百毫欧姆之间变化。
2、mos管的电流为260a。MOS管，即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为金属-氧化物-半导体，描述了集成电路中的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。
3、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.成本问题：三极管便宜，mos管贵。功耗问题：三极管损耗大。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
4、MOS管：管分为PMOS管和NMOS管，属于绝缘栅场效应管。三极管：是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。