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请问N沟道、耗尽型的场效应管的三个管脚怎么接?
1、G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。
2、IRF540N的使用方法是：将IRF540N接入开关电路中即可发挥N型场效应管的作用。三个腿从正面看分别是G、D、T。G的作用是控制极，D的作用是与散热孔铁片相连，T的作用是用来接地。
3、我们可以看到，N沟道的MOS管的电路中，BEEP引脚为高电平即可导通，蜂鸣器发出声音，低电平关闭蜂鸣器；P沟道的MOS管是用来控制GPS模块的电源通断，GPS_PWR引脚为低电平时导通，GPS模块正常供电，高电平时GPS模块断电。
4、用数字万用表测量MOS管好坏及引脚的方法：以N沟道MOS场效应管为例。先确定MOS管的引脚：先对MOS管放电，将三个脚短路即可；首先找出场效应管的D极（漏极）。
5、三极管，其管脚排列都一样：安装面(无字、安装散热片一面)对着自已，管脚朝上，从左到右分别是，场效应管：G，D，S；但凡有散热片的，散热片与D极相连。三极管：b、c、e。但凡有散热片的，散热片与c相连。
6、场效应管与普通三极管功能一样，三个电极对应为：发射机---源极S，基极--栅极G，集电极--漏极D。IRF640管脚排列为（管脚朝下、面对型号）左起1脚为G，2脚为D，3脚为S。
mos管三个引脚图顺序
G：gate栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。
场效应管与普通三极管功能一样，三个电极对应为：发射机---源极S，基极--栅极G，集电极--漏极D。IRF640管脚排列为（管脚朝下、面对型号）左起1脚为G，2脚为D，3脚为S。
有三个引脚，分别为G（栅极）、S（源极）、D（漏极）。在开关电路中，D和S相当于需要接通的电路两端，G为开关控制。
场效应管，英文缩写MOSFET，一般有3个管脚。依内部PN结方向的不同，MOSFET分为N沟道型（上图）和P沟道型（下图），如下面图所示，一般使用N沟道型可带来便捷性。
G（Gate，栅极）：这是MOS管的控制引脚。通过在栅极上施加电压，你可以控制MOSFET的通道的导电性，从而打开或关闭它。改变栅极电压可以控制MOSFET的导通与截止。
源极（Source）：源极是MOS管的输入引脚，它是电流流入MOS管的地方。在MOS管上，通常有一个明确标记为Source或S的引脚，它与源极电流相关。通常，MOS管的引脚标记会在器件的外壳上清晰可见，以帮助区分这三个引脚。
为什么有的三极管三个引脚为基极集电极发射极有的三个引脚为栅极漏极...
半导体电子器件，有两个PN结组成，可以对电流起放大作用，有3个引脚，晶体三极管分别为集电极（c），基极（b），发射极（e），电子三极管分别为屏极、栅极、阴极。晶体三极管有PNP和NPN型两种，以材料分有硅材料和锗材料两种。
MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。
三个极只所以那样命名是因为，发射极是发射电子的，基极是控制电子的，集电极是收集电子的，故这样命名。
场效应管对应的三个级为源级，漏级 栅级 三极管的三个级为 基极 发射级 集电极 它们的作用也不一样的，MOS管导通能力强，驱动能力强为电压驱动型 三极管可以降压作用，电流驱动型。
基极可以通常的理解为供电电路的地线，是共用的一个平衡点，在放大的时候也做为负级的引入工三极管工作。集电极可以理解为输入，通常是小信号或者比较大的电压。
晶体管因为有三种极性，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地、基极接地和集电极接地。晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极、基极和集电极。