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mos管开关特性曲线怎么看?
静态特性 MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。
）一般判断增强型、耗尽型；当 Ugs = 0 时，Id 不等于 0，即是其绝对值大于 0 的，就是耗尽型，反之就是增强型；增强型的 Ugs 曲线不过 0，耗尽型的 Ugs 曲线必过 0；2）通常 Id 以流入漏极为正，流出为负。
MOS管导通过程分析 MOS管和三极管的特性曲线分别如图1和图2所示，它们各自区间的命名有所不同，其中MOS管的饱和区也称为恒流区、放大区。
MOS管的输入不叫输入特性曲线，而是叫转移特性曲线，意思是当漏源电压UDS为常数时，漏极电流iD与栅源电压uGS之间的函数关系。
电流方向即为负。就可以确定MOS管的特性曲线。至于增强型和耗尽型如何区分，只要看控制曲线与y轴有交叉即可，即，当UG=0时，漏极电流不为零，即为耗尽型，UG=0时，漏极电流为零，即为增强型。如下图所示。
mos管的特性曲线：耗尽型mos管通常被称为“开关导通”器件，因为它们通常在栅极端没有偏置电压时处于闭合状态。当我们以正向增加施加到栅极的电压时，沟道宽度将在耗尽模式下增加。这将增加通过沟道的漏极电流ID。
MOS管的转移特性曲线,请问图b和图c的特性曲线要怎么看啊?
1、MOS管的输入不叫输入特性曲线，而是叫转移特性曲线，意思是当漏源电压UDS为常数时，漏极电流iD与栅源电压uGS之间的函数关系。
2、静态特性 MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。
3、mos管的特性曲线：耗尽型mos管通常被称为“开关导通”器件，因为它们通常在栅极端没有偏置电压时处于闭合状态。当我们以正向增加施加到栅极的电压时，沟道宽度将在耗尽模式下增加。这将增加通过沟道的漏极电流ID。
4、目前主板或显卡上使用的MOS管并不太多，一般有10个左右。主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。
5、电流方向即为负。就可以确定MOS管的特性曲线。至于增强型和耗尽型如何区分，只要看控制曲线与y轴有交叉即可，即，当UG=0时，漏极电流不为零，即为耗尽型，UG=0时，漏极电流为零，即为增强型。如下图所示。
6、很简单，看转移特性曲线所分布的象限即可。如果是增强型管子，曲线的全部都集中在一个象限中，P沟道全部在第三象限，N沟道在第一象限。
电力MOSFET输出特性曲线分为哪三个区?
1、在曲线中，工作区可分为三部分：可调电阻区（或称非饱和区）；饱和区；击穿区。
2、三极管的输入输出特性曲线通常被分为以下几个区域：截止区：当输入电压小于截止电压时，三极管处于截止状态，此时输出电流为0，输入输出特性曲线上对应的点为截止点。
3、MOS管的三个区：可变电阻区（对应三极管的饱和区），恒流区（对应三极管的放大区），夹断区（对应三极管的截止区），还有一个击穿区（对应三极管的击穿区，属于电力电子内容）。
请教关于MOS管的温度特性曲线问题
1、最后计算对应点列中bezier曲线的值，绘制贝塞尔曲线，相应的控制多边形和控制顶点，这样便画出了mos管特性曲线。
2、这个肯定是已知的 就是你的供电电压 vcc 我猜你这个应该是vds 是10到12v 我们看图上 当vds=10v的时候 只有当 ugs 约大于9v之后，交点才在mos管的可变电阻区（饱和区） 所以说 要9v以上 才能让管子完全导通。
3、MOS管的输入不叫输入特性曲线，而是叫转移特性曲线，意思是当漏源电压UDS为常数时，漏极电流iD与栅源电压uGS之间的函数关系。
4、功率场效应管是电压控制器件，如果驱动电压不够，导通时流过的饱和电流越大、压降也会上升，并且与温度成正比（在电源里可防磁饱和），驱动电压足够时、导通压降一般会比三极管高，开关频率速度较快（因结电容小）。
5、电阻。根据信息查询得到，处于饱和区的时候，mos管的沟道电阻为正温度系数，温度越高电阻越大，所以MOS管电流随温度下降。VGS电压一定时，温度越高，所流过的电流越大，温度和电流形成正反馈。
