mos管的导通压降（MOS管的导通压降）

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根据以上原理分析，在你的问题中，如果要使MOS管作在开关状态，就要对栅极施加足够的电压，它才能充分起到开关作用。

既然三极管可以作为开关电源的开关，那么为什么还要用mos管？MOS管损耗比三极管小，导通后压降理论上为0。MOS管为电压驱动型，只需要给电压即可，意思是即便串入一个100K的电阻，只要电压够，MOS管还是能够导通。

你电路的问题很明显，要了解原理，请参考以下电路：带软开启功能的MOS管电源开关电路这是很通用和成熟的电路，原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》。

为了提高MOS管的电气特性，尤其是耐压和耐电流能力，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET），其具体工作原理为（参见下图）：截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。

和上一问一样，只有栅极和源极接正向电压才能导通，而且不能超过20V。接负电压和接0电压一样，都会截止。对。选用开启电压低一些的，Vdss＞5V，Idss＞100mA即可，可以用AO3400。

n沟道mos管 p沟道mos管其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。

mos管的导通压降（MOS管的导通压降）

不一定。看管子的，看输出特性曲线就知道了。NJFET在恒流区有这个性质，UGS一定是负值且，UDS是正值。但耗尽型NMOS在UGS为正、负、0的情况下都能工作，后两种可以说UDS一定大于UGS，但第一种情况下未必。

栅源电压大于0：n沟道耗尽型mos管恒流区栅极上需要施加正向偏压，当栅源电压大于0时，栅极与源极之间的绝缘层中的电子空穴对被击穿，形成导电沟道。

第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如，3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。

因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。

这是个自给偏置的电路结构，所以栅极电压确定了，那么源极电压也就确定了；另外BSS169为N沟道耗尽型场效应管，在 Ugs=0V，即具有导通能力，也就是说，Ug=5V时，Us=5V。

按沟道材料：结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种. 按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。

1、因为mos有降频效果。MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。

2、开关电源的输出电压与电源电压、开关管导通的占空比及变压器的变比有关，与工作频率无关。

3、不会。占空比不变，频率降低，对于PWM波来说，输出的有效值并没有降低。

4、可以。mos因为使用方便操作简单所以可以改变电压和频率，mos管是一个通过改变电压来控制电流的元件，所以可以用它来放大信号，或者当做开关。

5、频率是交流电的一个参数，原则上讲与电压没有关系，在感性负载和容性电路中会影响总阻抗、无功功率和功率因数等。

1、你的1N4743是稳压为13V的稳压管，现在电源都只有12V，所以D2其实并不起作用。Q1的状态其实是截止，Q1的集电极输出电压接近电源电压12V，G的电压是12V，但问题是UGS是多少呢？MOS管的状态是UGS决定的。

2、MOS开启电压是2-4V不假，但要彻底导通，且状态比较好，起码UGS要10V以上才行。另外，水泵的接法也是错的。得接到漏极才行。

3、不是没关断，没关断的话电压就不至2V了。电子开关和继电器之类的开关不一样，不能物理切断，管子关断的时候都有漏电流，加在100K电阻上肯定会有压降的，带实际负载或着把电阻换小就没问题了。

4、将I1输入到比较器（如LM311）的正端口，将一个参考电压（比如2V）输入到比较器的负端口。当I1大于2mA时，它的电压会高于参考电压，此时比较器的输出就会变为低电平。

5、因为TTL和COMS的高低电平的值不一样(ttl 5v==cmos 3v)，所以互相连接时需要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有什么高深的东西。

6、对。选用开启电压低一些的，Vdss＞5V，Idss＞100mA即可，可以用AO3400。由于MOS导通电阻很小，可以忽略其压降，发光管压降按2V计算，发光管电流取10mA即可，所以R=(VCC-2V)/10mA，如果VCC是5V那么电阻R=300Ω。

MOS的压降是指MOSFET饱和导通的时候，VDS=I*Ron的电压。一般是指静态的压降。知道导通阻抗和通过的电流的话用上面的公式就可以计算出来压降是多少了，一般在相同电流下，额定电流大的mosfET压降小。不要忘了前提条件。

电路设计不合理，导致MOS管工作在放大区。Vgs给得太小，MOS没有完全打开导通，Vgs最小2V，最大4V。Rds最大为0.45Ω，工作温度高，通过电流大，导通压降就会大。

所以，MOS管的反向压降就是二极管的正向电压，大约是1～5V。

选的型号不对额，可能mos管没有完全导通，可能mos管本身的内阻就大，那是因为mos管的内阻太大了；第二。