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PMOS,NMOS,CMOS,BIOS有何区别
1、作用不同 BIOS：是用于计算机开机过程中各种硬件设备的初始化和检测的芯片，容量是1M或2M甚至8M。CMOS：CMOS是主板上一块可读写的RAM芯片，用于保存当前系统的硬件配置信息和用户设定的某些参数。
2、pmos和nmos的区别是：PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管全称：positivechannelMetalOxideSemiconductor别名，positiveMOS。
3、当栅极电压为正电压时，NMOS处于导通状态，栅极电压为负电压时，NMOS处于截止状态。NMOS的栅极电压与源极电压之差（VGS）为正值时，NMOS导通。
4、CMOS为Complementary Metal Oxide Semiconductor（互补金属氧化物半导体）的缩写。它是指制造大规模集成电路芯片用的一种技术或用这种技术制造出来的芯片，是电脑主板上的一块可读写的RAM芯片。
5、BIOS与CMOS既相关又不同：BIOS中的系统设置程序是完成CMOS参数设置的手段；CMOS RAM既是BIOS设定系统参数的存放场所，又是 BIOS设定系统参数的结果。因此，完整的说法应该是通过BIOS设置程序对CMOS参数进行设置。
6、本质不同 bios：BIOS是英文Basic Input Output System的缩略词，直译过来后中文名称就是基本输入输出系统。在IBM PC兼容系统上，是一种业界标准的固件接口。
MOS管的导通条件是什么?
1、P型MOS管的导通条件：靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。
2、PMOS导通是在G和S之间加G负S正电压。NMOS相反。
3、pmos导通条件是指pmos串联晶体管门电压Vgs、源极供电电压Vdd和漏极电压Vdd之间的关系。pmos和nmos的区别是：PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管全称：positivechannelMetalOxideSemiconductor别名，positiveMOS。
mos管的导电沟道能不能由多子组成?
1、MOS管的内部结构如下图所示；其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电，是单极型晶体管。
2、根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。
3、MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。
pmos导通条件
PMOS和NMOS同时打开会造成器件短路，形成瞬态开路电流。NMOS管的主回路电流方向为D到S，导通条件为VGS，有一定的压差，如5V（G电位比S电位高）。
pmos导通条件是指pmos串联晶体管门电压Vgs、源极供电电压Vdd和漏极电压Vdd之间的关系。pmos和nmos的区别是：PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管全称：positivechannelMetalOxideSemiconductor别名，positiveMOS。
对于NMOS，当Vg减Vs大于Vgs（th）时，MOS管导通G极和S极的差大于一定值，MOS管会导通，不能大太多，Vgs（th）和别的参数需要看MOS管的SPEC。
增强型PMOS管的导通条件是Ugs≦UTP≦0。那么这个PMOS放大器为什么可以用正电压VDD呢？原因就在于它的源极S是连接在VDD上，而漏极D是接地的。
当栅极电压为负电压时，PMOS处于导通状态，栅极电压为正电压时，PMOS处于截止状态。PMOS的栅极电压与源极电压之差（VGS）为负值时，PMOS导通。PMOS用于在逻辑电路中实现逻辑功能，如负责逻辑门的电源。
导通特性 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。
mos管的栅极电压大于0v时就可以导通
1、工作是什么意思？就是起作用，起到我们想要它实现得功能得作用，当然就是导通得意思。
2、一般2V～4V就可以了。P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为8V，G为8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为8V。
3、当栅极（G）的电压比漏极的电压(D)小5V以上（有的管子可以更低），管子就开始导通，压差越大，G和S（源极）之间的电阻就越小，损耗也就越小，但是不能太大。