本文目录一览：
- 1、场效应管n道沟和p道沟怎么区分?
- 2、MOS管的引脚,G、S、D分别代表什么?
- 3、MOS管怎么分辨N沟道还是P沟道
- 4、四种MOSFET型号及其功能特点
- 5、MOSFET-P和MOSFET-N区别在那里?谢谢了
- 6、mos场效应管p型和n型如何区分?
场效应管n道沟和p道沟怎么区分?
。对于主板上来说，常用的场管为3055，15n03，45n03，60n03，还有70n03 2，3。说个简单的给你 黑表笔接d极，红表笔接s极，有500欧左右的阻值为n沟 红表笔接d极，黑表笔接s极，有500欧左右的阻值为p沟 4。
）N、P沟道如何区分？箭头指向G极的就是N沟道。箭头背向G极的就是P沟道。3）寄生二极管方向 N沟道，由S极指向D极。P沟道，由D极指向S极。MOS管导通条件 N沟道：UgUs时导通。（简单认为）Ug=Us时截止。
若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管。反之是P沟道场效应管。
MOS场效应管分J型，增强型，耗尽型。一般来说N沟道是导电沟道是N型半导体，P沟道是P型半导体，然后再区分栅极压降是要正开启还是负开启。mos场效应管在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有极高的输入电阻。
说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N 沟道 场效应管，且 黑表 笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是 正向电阻 ，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
MOS管的引脚,G、S、D分别代表什么?
G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。
MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。
G：gate栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。
源极（Source）：源极是MOS管的输入引脚，它是电流流入MOS管的地方。在MOS管上，通常有一个明确标记为Source或S的引脚，它与源极电流相关。通常，MOS管的引脚标记会在器件的外壳上清晰可见，以帮助区分这三个引脚。
G D S分别是栅极 漏极 源极，通过GS之间的电压，控制DS之间是否导通，建议百度文库 mos，有详细的文档。
D级是漏极，相当于三级管的集电极，S是源级，相当于三级管的发射级。场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。
MOS管怎么分辨N沟道还是P沟道
指针表判断N-P沟方法（10K档）：N沟MOS管：红表笔接（D），黑表笔接（S），指针满偏。P沟MOS管：跟N沟MOS管测量现象相反。
MOSFET-P是P沟道，MOSFET-N是N沟道；为了能正常工作，NMOS管外加的Vds必须是正值，开启电压VT也必须是正值，实际电流方向为流入漏极。
漏极和源极互换，若两次测出的电阻都很大，则为N沟道；若两次测得的阻值都很小，则为P沟道。判定源极S、漏极D：在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。
N沟道的MOSFET和P沟道的MOSFET区别就是驱动上面，N沟道的Vgs是正的，P沟道的Vgs是负的。只要Vgs达到了打开的门限值，漏级和源级就可以过电流了。
四种MOSFET型号及其功能特点
MOSFET也叫做绝缘栅型场效应管，分为：N沟道增强型管 ，N沟道耗尽型 管；P沟道增强型管 、P沟道耗尽型管。
耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低 开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂，存在二次击穿问题。
它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
MOSFET-P和MOSFET-N区别在那里?谢谢了
1、N沟道的MOSFET和P沟道的MOSFET区别就是驱动上面，N沟道的Vgs是正的，P沟道的Vgs是负的。只要Vgs达到了打开的门限值，漏级和源级就可以过电流了。
2、MOS场效应管分J型，增强型，耗尽型。一般来说N沟道是导电沟道是N型半导体，P沟道是P型半导体，然后再区分栅极压降是要正开启还是负开启。mos场效应管在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有极高的输入电阻。
3、MOS依照其“通道”的极性不同，可分为N沟与‘p“沟的MOSFET结构。如图是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图。
4、N通道的开关切换速度较快，大多数开关电路或线性稳压，会使用N通道；P通道也是可以使用的，只是速度较慢，较少采用，设计上，电路也与N通道的相反。有时候，有些设计，是会采用N+P的电路设计，尤其笔记本上很常见。
5、MOSFET是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，其工作原理按导电沟道可分为P沟道和N沟道。
mos场效应管p型和n型如何区分?
MOSFET-P和MOSFET-N的区别：MOSFET-P是P沟道，MOSFET-N是N沟道；为了能正常工作，NMOS管外加的Vds必须是正值，开启电压VT也必须是正值，实际电流方向为流入漏极。
PMOS（P型金属氧化物半导体）和NMOS（N型金属氧化物半导体）是MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的两种主要类型，它们是常用的场效应晶体管，用于电子电路中的开关和放大功能。
纠正你一点，MOS管可不叫P型和N型，那是掺杂半导体的专用称呼。应该称作N沟道，P沟道，否则会被内行笑话的。