本文目录一览：
- 1、关于一个MOS管组成的电压选择电路的电路分析,请个人大侠帮忙分析一下...
- 2、有源钳位正激的钳位mos能不能用n型
- 3、mos管栅源短接相当于什么
- 4、mos管栅漏短接跟二极管的区别
- 5、什么叫钳位电压
- 6、Mos管驱动后振铃原因和解决方法?
关于一个MOS管组成的电压选择电路的电路分析,请个人大侠帮忙分析一下...
首先MOS管是四端器件，栅源漏衬，一般源衬短接。
Q83为P沟道MOS管，Q84为N沟道MOS管。RELAY1_SET_N为3V时Q83截止，Q84导通；RELAY1_SET_N为0V时Q83导通，Q84截止。
画出 MOSFET 的符号，并标注引脚名称（源极S、栅极G、漏极D）。 在栅极与源极之间画出一个输入电容 Cgs，表示当外部交流信号作用时，栅-源之间会产生一个变化的电荷量。
根据MOS管跨导：(1)可以看出，随着ID的变化，gm也会发生变化。由此可知，MOS管电路分析必须限制交流信号的变化范围，这样做的目的是为了把电路限制在LTI(线性时不变)范围内。
有源钳位正激的钳位mos能不能用n型
MOS管有两种结构形式，即N沟道型和P沟道型，结构不一样，使用的电压极性也会不一样，因此，在确定选择哪种产品前，首先需要确定采用N沟道还是P沟道MOS管。
有源钳位是一种电路连接方式。使用有源钳位的单端正激拓扑是目前比较流行的，同样可以使用于反激电路。
具体包括：一限流电阻、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第一PMOS晶体管和一恒流源，其中，恒流源和第二NMOS晶体管、第一PMOS晶体管的尺寸确定了电路的箝位点稳定值。
再下来到第二个MOS的栅再到第二个MOS的‘源’，然后来到第二个的衬，P+区域，而这个P+区域接的是高电位。也就是说电荷只会在每个P区域之间交换，不会无聊的去克服势垒到达N阱的N区域的。这样避免了大规模漏电。
正激变换器适用于输出功率为200 W以内的电源产品中，而有源钳位正激变换器由于可以实现变压器磁自复位，加上有较多成熟的有源钳位正激变换器PWM控制器。
mos管栅源短接相当于什么
mos管栅源短接相当于二极管接法，它的名字叫二极管接法，但是并不是像二极管一样具有整流特性，它具有的特性只是二极管正向导通时候的样子，就表现出一个小电阻似的小信号特性。
工作原理：MOS管栅漏短接是一种半导体器件，其工作原理是基于金属-氧化物-半导体（MOS）结构二极管则是一种PN结器件，其工作原理是基于半导体材料中的电子和空穴的行为工作原理。
短接就是用一根导线将1，2连接。电表正面从左数1，2分别是火线进和火线出。就是不经过开关得控制，用两根线将开关短接，使用电器供电，相当于开关控制它开的作用，这样并不会烧坏电器的。
以NMOS三极管为例，把源极S和衬底接地，在栅源间加上正电压Vgs，即在栅极和衬底之间形成的电容上加上正电压，则衬底表面将感应出负电荷来。
由于栅极与其它电极之间是相互绝缘的，所以NMOS又被称为绝缘栅型场效应管。
在检测场效应管时要同德运网友说的那样，栅极G与源极S短接一下，放掉栅极的积累电荷。
mos管栅漏短接跟二极管的区别
1、mos管栅源短接相当于二极管接法，它的名字叫二极管接法，但是并不是像二极管一样具有整流特性，它具有的特性只是二极管正向导通时候的样子，就表现出一个小电阻似的小信号特性。
2、区别 节能性：MOS管是电压控制性器件，二极管三极管是电流控制性器件，因此MOS管更节能。稳定性：MOS管只有多数载流子参与导电，二极管三极管中多数载流子和少数载流子都参与导电，因此MOS管热稳定性更好。
3、MOS管工作是靠沟道导通电流，PN结只是控制沟道宽度，这和三极管、二极管通过PN结导通电流不同，因此三极管的基极和集电极或发射极连接可以代替二极管，但MOS管的栅漏或栅源极连接是不能代替二极管的。
4、MOS管做二极管都是在大电流场合做反接保护的，内阻低，都是毫欧级的。
5、mos管是需要控制信号的。不能简单的串在电路中。而且MOS导通后是双向导电的，防止反充电还是用二极管吧，肖特基也就0.3V左右的压降。
6、MOS管的栅极绝缘电阻很高，容易因感应电击穿栅极，加上这个双向的稳压管，则感应电压高于稳压管的稳压值，就会被释放，因此能保护栅极不会积累过高的感应电。
什么叫钳位电压
1、钳位电压是指限制电压。这种限制的对象可能是需要过电压保护的对象，例如开关电源中的mos晶体管，需要一个钳位网络来限制D、S极间电压，保护MOS不被损坏。它可以构成电压调节器或瞬态抑制器，用于限制电路两端的电压。
2、钳位电压是指限制电压。这个限制的对象，可以是需要过压保护的对象，譬如开关电源中的MOS管，需要一个钳位网络来限制D、S极间电压，保护MOS不被损坏。
3、最高限制电压的意思。二极管具有单向导通的特点；二极管钳位就是利用了这点原理。如二极管的负极接地，正极接钳位处，那么钳位最高的电压也就是0.7V电压（也就是二极管的正向压降）。
Mos管驱动后振铃原因和解决方法?
有振铃正常的，只要振铃不严重就无需理会。想办法降低漏感、适当进行补偿、调整尖峰吸收网络即可消除或减小。
目前常用的解决方法是在MOSFET关断时在栅极施加反压，以削弱振荡的影响，但反压电路却占用空间，同时增加了成本。本文在深入分析了MOSFET栅极振荡产生机理基础上，设计了硬件驱动电路。
驱动信号含有直流分量，要加隔直流电容。变压器输出不含直流，脉宽变动基线会浮动，要加“钳位”。缺少阻尼电阻，形成振铃。更改后电路如图，参数是50kHz条件下的。
V输出电压下降很快，大约在十几秒后降至不足1V。不过此时mos管两端电压无论波形还是周期都回到正常情况。5V电压跌落后负载电流减小，开关电源控制芯片退出降频保护模式，但也许是临界状态，建议延长观察时间。
应该不是MOS管发出的声音，可能是电容发出的声音。