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25N60C3是MOS管,还是IGBT
属于MOS管，表示电流20A，电压600伏。 开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制（PWM）控制IC和MOSFET构成。
W。20n60c3场效应管参数功率是208W，在高压MOS管能够让AC/DC开关电源芯片保持稳定工作，从而让开关电源保持输出电源稳定。20n60c3大管和小管功能是一样的，因为20n60c3无论大管还是小管都是场效应管管子。
Sd20n60的参数为20 A600V，可代换SPP20N60c3的管子均为特性相同m0S管。
500a大电流mos型号
mos管型号如下：增强型mos管：采用双栅极结构或耗尽层结构的增强型mosfet的栅源电压为8v左右。肖特基势垒二极管：其正向漏极电流密度可达100a/dtl以上。这种器件工作于反向击穿区时能承受较大的浪涌电流冲击。
使用测试仪器：使用万用表或测试仪器对MOS管进行测试，可以得到一些参数，如漏极电流、漏极电压等，然后通过这些参数来推测MOS管的型号。
有很多电流等级，也有进口和台产的芯片在内地封装的。
这些大功率的进口的比较多，台湾也有几个品牌。这个有20A，29A，30A，33A，34A，38A，45A，600V47A MOS管，50A，55A，60A。海飞乐技术封装这些MOS。
MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动。
晶体管IPT012N08N5电流多少A呢?
如果在放大状态 β=Ic/Ib=100 在放大状态下可以，在饱和状态则不行。
晶体管又称双极结型晶体管 (BJT)，是由电流驱动的半导体器件，用于控制电流的流动，其中，基极引线中的较小电流控制集电极和发射极之间较大的电流。它们能用于放大弱信号，用作振荡器或开关。
N60-ASEMI的最大漏源电流为5A，而漏源击穿电压为600V。这种型号的二极管是一种N型场效应管，其具有较高的开关速度、低正向电阻以及高可靠性。此外，它也能够承受较大的电流，并且具有很好的耐久性。
rbe=基区体电阻+（1+hfe）Ut/Ie hfe是电流放大倍数，Ie是发射极电流，Ut在室温下一般=26mV 回到你的问题，Ib=13uA，那么Ie=（1+hfe）Ib，代入公式计算就行了，注意单位，Ut取26mV的话，Ie的单位就得取mA。
mos管储存几年
存储器内部是有很多很多的MOS管组成，MOS管的栅极的电压充了电是很难释放的（最高保存10年以上），也就是MOS管的栅极的电压是记忆功能的。
ROM是只读储存器，掩膜只读储存器是在出厂时内部储存的数据就已经固化在芯片内部。
动态MOS存储单元存储信息的原理，是利用MOS管栅极电容具有暂时存储信息的作用。
为了提高MOS管的电气特性，尤其是耐压和耐电流能力，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET），其具体工作原理为（参见下图）：截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。
小功率MOS管导通电阻一般在几毫欧至几十毫欧左右，选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。
英飞凌4脚mos管的优点
1、MOS管优点：电压控制；控制方式比较方便。体积小，重量轻，寿命长。输入电阻高，噪声低，热稳定性好，抗干扰能力强，功耗低。缺点：熟悉的人比较少；（相比三极管而言）。对静电比较敏感，容易被静电击穿。
2、IPB107N20N3G是一款高性能的功率MOSFET，具有低导通阻抗、高开关速度和高耐压等特点。首先，它的导通阻抗仅为2mΩ，这意味着在导通状态下，器件的功耗非常低，有助于提高整个系统的效率。
3、一种英飞凌的专利技术，用此技术制作的MOS可以达到很低的导通阻抗，性能很优越，在硅MOS里算是顶尖的技术了，性能好的型号甚至可以接近碳化硅MOS的性能。
4、③MOS管为双向器件，设计灵活性高。④具有动态工作独特的能力。⑤温度特性好。其缺点是速度较低、驱动能力较弱。一般认为MOS集成电路功耗低、集成度高，宜用作数字集成电路；双极型集成电路则适用作高速数字和模拟电路。