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N沟道耗尽型MOS管工作在恒流区时,g极与d极之间的电...
不一定。看管子的，看输出特性曲线就知道了。NJFET在恒流区有这个性质，UGS一定是负值且，UDS是正值。但耗尽型NMOS在UGS为正、负、0的情况下都能工作，后两种可以说UDS一定大于UGS，但第一种情况下未必。
栅源电压大于0：n沟道耗尽型mos管恒流区栅极上需要施加正向偏压，当栅源电压大于0时，栅极与源极之间的绝缘层中的电子空穴对被击穿，形成导电沟道。
第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如，3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。
因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。
这是个自给偏置的电路结构，所以栅极电压确定了，那么源极电压也就确定了；另外BSS169为N沟道耗尽型场效应管，在 Ugs=0V，即具有导通能力，也就是说，Ug=5V时，Us=5V。
双极型晶体管和mos晶体管在输出信号放大上有何差别
1、采用功率MOSFET场效应作为开关电源中的功率开关，在启动或稳态工作条件下，功率MOSFET场效应管的峰值电流要比采用双极型功率晶体管小得多。
2、场效应管的源极和漏极在结构上是对称的，可以互换使用，耗尽型MOS管的栅——源电压可正可负。因此，使用场效应管比晶体管灵活。
3、双极型晶体管的控制信号是电流，场效应晶体管的控制信号是电压。双极型晶体管是由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体三极管，是一种电流控制器件，电子和空穴同时参与导电，故得名双极型。
4、同场效应晶体管相比，双极型晶体管开关速度慢，输入阻抗小，功耗大。
mos管能为7805扩流么?怎么接?
的输出电流能力为5A，且还要受到变压器的功率限制。如果变压器能提供5A以上的电流，则可以使用大功率的三极管为7805扩流。整流后的滤波电容用2000μF~4700μF/16V铝电解电容。
实际电路看要求，Q25可以用彩电的开关管（如：D1710），R62要改动，看要求。不单是5V，12V也可以这样扩流，就是把7805改成7812，我用来试汽车CD机用过，功率大很多。
这样就可获得0~20v的电压。然后你在外接IRF150、540这类VMOSFET来扩流，便可输出10A以上的电流。补充：不论是塑封还是铁壳封装的7805最大输出电流与LM317一样都是5A。单用一个布甲扩流无法输出你要的电流。
进一步讨论M脚的接线问题，我们需要了解MOS管的工作原理。MOS管是由一对PN结所组成的，M脚是控制PN结间载流子的接触点。因此，在接线时，要确保M脚与信号源的电压匹配，并在需要时通过添加外部电源以保持稳定。
G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。
mos管的作用
MOS管作用：用途广泛，包括电视机高频头（高频，小电流）到开关电源（高压大电流），现在把MOS和双极型（普通三极管）复合在一起（IGBT，绝缘栅双极型晶体管），广泛应用于大功率领域。
mos管的作用：可应用于放大电路。由于MOS管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。可以用作可变电阻。
MOS管：场效应管。采用绝缘栅结构的晶体三极管，输入阻抗高，输出呈电阻态。
MOS管的主要作用是放大电信号，用于电子设备中的开关控制、电源管理、数据传输等方面。MOS管的原理是基于PN结的反向偏置效应，即当PN结处于反向偏置状态时，其电阻非常大，电流几乎为零。