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P勾到有高电平导通的不???
楼主要注意，这里Ｐ沟道的ＭＯＳ管低电平不是我们平常说的低于或等于０伏的，是相对说的，是Ｇ极相对于Ｓ极说的，当Ｇ极的电压低于Ｓ极的电压２.５伏以上时，这个管子就导通。
可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通。如果箭头指向栅极，那么MOS管就是高电平导通。如果箭头未指向栅极，那么MOS管就是低电平导通。
快速判断方法：箭头由P指向N，看箭头尖尖指向的极性为N还是P，为N则G极为低电压时导通，为P则高电压导通。
MOS管的高电平低电平到底指什么样的电压为高低?
1、高电平和低电平的意思：高电平指的是与低电平相对的高电压；低电平指的是与高电平相对的低电压。高电平，指的是与低电平相对的高电压，是电工程上的一种说法。
2、高于0V的就可以称为高电平，低于0V的就可以称为低电平。高电平，指的是与低电平相对的高电压，是电工程上的一种说法。
3、N沟道的MOS管 D流向S G大于S极4V左右就完全导通。 P沟道的MOS管 S流向D S大于G 4V左右 完全导通，我觉的没有必要太注重几V是高低电压。了解导通条件就可以了。
MOS管导通条件是什么?
P型MOS管的导通条件：靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。
PMOS导通是在G和S之间加G负S正电压。NMOS相反。
P沟道MOS管导通的条件是在栅极G加触发电压，使源极S与漏极D导通。在P沟道MOS管中，当栅源电压差大于阈值电压时（即VGSVth），会形成一个由正负载流组成的导通路径，使漏极D和源极S之间可以通过电流进行传输。
pmos导通条件是指pmos串联晶体管门电压Vgs、源极供电电压Vdd和漏极电压Vdd之间的关系。pmos和nmos的区别是：PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管全称：positivechannelMetalOxideSemiconductor别名，positiveMOS。