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mos管漏源导通电阻
MOSFET的导通电阻 Ron=δVds/δId|(Vds很小) = 1/[β(Vgs-VT)] ，实际上，线性区的漏电导正好等于导通电阻Ron的倒数； 如果是电流饱和区，则交流电阻近似为无穷大，直流电阻也是很大的。
mos管漏源导通电阻的计算公式为：Ron=1/[β(Vgs-VT)]。其中，Vgs是MOS管的栅源电压，VT是MOS管的阈值电压，β是MOS管的放大倍数。
你好，MOS管DN3525N8-G导通电阻是 6 欧姆。
怎样理解这个MOS管驱动电路?
这个电路有很大的问题。首先负载应该挂在MOS的D极上，而不应该挂在S极上，也就是说：要将负载与MOS管上下换个位置。然后这个电路在MOS管关掉时，gs之间的电路是48V，超过了其最大耐压为20V。
这是一个电机驱动电路，MOS管在这起了一个开关的作用。这是两个N沟道增强型CMOS管，在其栅极施加正电压将形成导电沟道，MOS管的漏-源极呈现低阻状态，相当于开关接通，电机转动。
MOS管可以作为开关、放大器、稳压器等电路中的关键元件，其作用是控制电流的流动，从而实现电路的控制和调节。MOS管的原理是基于场效应的，即通过控制栅极电场强度，改变半导体中载流子的浓度，从而调节电路的电流。
怎样测MOS管的导通电阻
设计一个电阻串联MOSFET的电路，给一个恒压源。
用测电阻法判别无标志的场效应管：首先用测量电阻的方法检测MOS管得找出两个有电阻值的管脚，也就是源极S和漏极D，余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。
MOSFET的导通电阻 Ron=δVds/δId|(Vds很小) = 1/[β(Vgs-VT)] ，实际上，线性区的漏电导正好等于导通电阻Ron的倒数； 如果是电流饱和区，则交流电阻近似为无穷大，直流电阻也是很大的。
