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p沟道mos管开启条件
1、P沟道MOS管是一种常用的场效应管，其开启条件为VGS电压为负压，电压的绝对值大于最低开启电压。在实际使用中，将控制信号接到G极，将S极接在VCC，实现对P-MOS管的控制。
2、一般2V～4V就可以了。P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为8V，G为8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为8V。
3、P沟道MOS管导通的条件是在栅极G加触发电压，使源极S与漏极D导通。在P沟道MOS管中，当栅源电压差大于阈值电压时（即VGSVth），会形成一个由正负载流组成的导通路径，使漏极D和源极S之间可以通过电流进行传输。
4、P沟道增强型场效应管的导通条件是栅极电位低于漏极电位。栅极电位比漏极电位低得越多，就越趋于导通。一般低于漏极电位15V就可以完全导通。压差太大就会形成栅极击穿。想关闭就要把栅极电位拉回漏极。
5、沟道开启条件：N沟道增强型场效应管：当VGS＞VT（开启电压）时，衬底中的电子进一步被吸至栅极下方的P型衬底表层，使衬底表层中的自由电子数量大于空穴数量，该薄层转换为N型半导体，称此为反型层。
p沟道增强型mos管的开启电压为负值
1、P沟道增强型：当UgsUgs(th)时，开启。这个Ugs(th)是一个负数值，最常见的是在-4V ~ -2V之间。N沟道增强型：当UgsUgs(th)时，开启。这个Ugs(th)是一个正数值，最常见的是在2V ~ 4V之间。
2、条件是VGS电压为负压，且电压的绝对值大于最低开启电压。P沟道MOS管是一种常用的场效应管，其开启条件为VGS电压为负压，电压的绝对值大于最低开启电压。
3、pmos管的vgs同样也有正和负。mos管的vgs一般不常采用负电压关断，但是如果采用负电压，可以增加关断可靠性，还可以提高vds的耐压承受力。比如说+12v是开启mos，-5v是关闭mos。
4、管：漏源之间存在导电沟道，无需加删压就能导电，开启电压Ugs（off）为负值，电流随正向电压增大而增大，转移特性曲线在四象限。
怎么判断MOS管是P沟道还是N沟道?
1、指针表判断N-P沟方法（10K档）：N沟MOS管：红表笔接（D），黑表笔接（S），指针满偏。P沟MOS管：跟N沟MOS管测量现象相反。
2、N沟道的MOSFET和P沟道的MOSFET区别就是驱动上面，N沟道的Vgs是正的，P沟道的Vgs是负的。只要Vgs达到了打开的门限值，漏级和源级就可以过电流了。
3、说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N 沟道 场效应管，且 黑表 笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是 正向电阻 ，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
4、漏极和源极互换，若两次测出的电阻都很大，则为N沟道；若两次测得的阻值都很小，则为P沟道。判定源极S、漏极D：在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。
5、很简单，看转移特性曲线所分布的象限即可。如果是增强型管子，曲线的全部都集中在一个象限中，P沟道全部在第三象限，N沟道在第一象限。
MOS管怎么分辨N沟道还是P沟道
指针表判断N-P沟方法（10K档）：N沟MOS管：红表笔接（D），黑表笔接（S），指针满偏。P沟MOS管：跟N沟MOS管测量现象相反。
MOSFET-P是P沟道，MOSFET-N是N沟道；为了能正常工作，NMOS管外加的Vds必须是正值，开启电压VT也必须是正值，实际电流方向为流入漏极。
漏极和源极互换，若两次测出的电阻都很大，则为N沟道；若两次测得的阻值都很小，则为P沟道。判定源极S、漏极D：在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。