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求解MOS场效应管的构造原理,和工作原理,越详细越好,谢谢。
工作原理：在MOSFET中，连接极与P沟道区域之间隔离，因此不会直接通过电流。连接极上的电压会影响N沟道区域的电流。当连接极的电压升高时，N沟道区域的电流会增加，电流就会从源极流入汇极。
而且，由于它的输入电阻是PN结的反偏电阻，在高温条件下工作时，PN结反向电流增大，反偏电阻的阻值明显下降。
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。
MOS管是一种场效应晶体管，它是由金属、氧化物和半导体材料组成的。MOS管的原理是基于PN结的反向偏置效应，即当PN结处于反向偏置状态时，其电阻非常大，电流几乎为零。
说明mos晶体管包含哪些电容及其物理含义
1、首先考察一个更简单的器件——MOS电容——能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsic silicon（外在硅），他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。金属极就是GATE，而半导体端就是backgate或者body。
2、mos管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，它们都是在P型backgate中形成的N型区。
3、mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。
4、举例说明： 极间电容： Power MOSFET的3个极之间分别存在极间电容CGS，CGD，CDS。通常生产厂家提供的是漏源极断路时的输入电容CiSS、共源极输出电容CoSS、反向转移电容CrSS。
研究应变mos器件的特性有什么意义
1、mos是一种具有放大功能的特殊器件，其工作原理是当mos导通的时候，电流会通过一个特殊的电阻压敏电阻流进到输入级，反之如果mos截止时，电流就会从输出端直接流出。
2、导通的意义是作为开关，相当于开关闭合。NMOS（ AO4614 ）的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适宜用于源极接地时的情况（低端驱动），只需栅极电压抵达4V或10V就可以了。
3、场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。
4、mosfet的饱和电流具有恒定的特性，它的值受到温度的影响较小，温度升高时，饱和电流仅会微小变化。因此，mosfet的饱和电流具有恒定和稳定的特性，在工程实践中，可以用来控制电路中的电流。
5、此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性，与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。
6、节能性：MOS管是电压控制性器件，二极管三极管是电流控制性器件，因此MOS管更节能。稳定性：MOS管只有多数载流子参与导电，二极管三极管中多数载流子和少数载流子都参与导电，因此MOS管热稳定性更好。