本文目录一览：
- 1、关于MOS管的特性曲线问题
- 2、mos管开关特性曲线怎么看?
- 3、怎么根据转移特性判定MOS管是N沟道还是P沟道
- 4、如何使用multisim绘制MOS管的转移特性曲线?
- 5、MOS管的转移特性曲线,请问图b和图c的特性曲线要怎么看啊?
- 6、MOS管的工作原理
关于MOS管的特性曲线问题
这个肯定是已知的 就是你的供电电压 vcc 我猜你这个应该是vds 是10到12v 我们看图上 当vds=10v的时候 只有当 ugs 约大于9v之后，交点才在mos管的可变电阻区（饱和区） 所以说 要9v以上 才能让管子完全导通。
）一般判断增强型、耗尽型；当 Ugs = 0 时，Id 不等于 0，即是其绝对值大于 0 的，就是耗尽型，反之就是增强型；增强型的 Ugs 曲线不过 0，耗尽型的 Ugs 曲线必过 0；2）通常 Id 以流入漏极为正，流出为负。
定义参数t的点列，定义xx和yy为0，分别求存储和计算得到的bezier曲线对应的x坐标和y坐标的极板值。最后计算对应点列中bezier曲线的值，绘制贝塞尔曲线，相应的控制多边形和控制顶点，这样便画出了mos管特性曲线。
静态特性 MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。
mos管的特性曲线：耗尽型mos管通常被称为“开关导通”器件，因为它们通常在栅极端没有偏置电压时处于闭合状态。当我们以正向增加施加到栅极的电压时，沟道宽度将在耗尽模式下增加。这将增加通过沟道的漏极电流ID。
mos管开关特性曲线怎么看?
静态特性 MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。
）一般判断增强型、耗尽型；当 Ugs = 0 时，Id 不等于 0，即是其绝对值大于 0 的，就是耗尽型，反之就是增强型；增强型的 Ugs 曲线不过 0，耗尽型的 Ugs 曲线必过 0；2）通常 Id 以流入漏极为正，流出为负。
MOS管的输入不叫输入特性曲线，而是叫转移特性曲线，意思是当漏源电压UDS为常数时，漏极电流iD与栅源电压uGS之间的函数关系。
mos管的特性曲线：耗尽型mos管通常被称为“开关导通”器件，因为它们通常在栅极端没有偏置电压时处于闭合状态。当我们以正向增加施加到栅极的电压时，沟道宽度将在耗尽模式下增加。这将增加通过沟道的漏极电流ID。
电流方向即为负。就可以确定MOS管的特性曲线。至于增强型和耗尽型如何区分，只要看控制曲线与y轴有交叉即可，即，当UG=0时，漏极电流不为零，即为耗尽型，UG=0时，漏极电流为零，即为增强型。如下图所示。
怎么根据转移特性判定MOS管是N沟道还是P沟道
很简单，看转移特性曲线所分布的象限即可。如果是增强型管子，曲线的全部都集中在一个象限中，P沟道全部在第三象限，N沟道在第一象限。
MOSFET-P是P沟道，MOSFET-N是N沟道；为了能正常工作，NMOS管外加的Vds必须是正值，开启电压VT也必须是正值，实际电流方向为流入漏极。
指针表判断N-P沟方法（10K档）：N沟MOS管：红表笔接（D），黑表笔接（S），指针满偏。P沟MOS管：跟N沟MOS管测量现象相反。
说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N 沟道 场效应管，且 黑表 笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是 正向电阻 ，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
漏极和源极互换，若两次测出的电阻都很大，则为N沟道；若两次测得的阻值都很小，则为P沟道。判定源极S、漏极D：在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。
；2）通常 Id 以流入漏极为正，流出为负。
如何使用multisim绘制MOS管的转移特性曲线?
做如下一个电路，用DC扫描分析，（simulate | analysis | DC sweep）描V3，输出V1电流，适当设置开始电压、终止电压和步长。
比如测一个MOS管的转移特性，具体步骤，谢谢 我来答 分享 微信扫一扫 网络繁忙请稍后重试 新浪微博 QQ空间 举报 浏览427 次 可选中1个或多个下面的关键词，搜索相关资料。也可直接点“搜索资料”搜索整个问题。
双击BJT图标出现对话框。点击Editmodel，出现含有β参数显示BF的对话框。修改β参数。再次点击已修改参数之前或之后的部分，使整行呈深颜色显示，同时对话框下边的changepartmodel由灰暗变为清晰有效。
MULTISIM中三极管输出特性曲线是仿真出来的，具体方法如下：⒈放置三极管符号2N3904。⒉放置IV特性分析仪表图标。⒊双击IV特性分析仪表图标，打开其显示面板。⒋在显示面板右上角的选项框三角符号，在下拉列表中选择BJT NPN。
打开multisim，点击“工具”按钮，即那个扳手形状的按钮。在下拉列表中选择三极管的图像标志，然后在二重下拉列表中选择IGBT即可。
当uGSUTN时，MOS管是截止的。当uGSUTN之后，只要在恒流区，转移特性曲线基本上是重合在一起的。曲线越陡，表示uGS对iD的控制作用越强，也即放大作用越强，且常用转移特性曲线的斜率跨导gm来表示。
MOS管的转移特性曲线,请问图b和图c的特性曲线要怎么看啊?
1、MOS管的输入不叫输入特性曲线，而是叫转移特性曲线，意思是当漏源电压UDS为常数时，漏极电流iD与栅源电压uGS之间的函数关系。
2、静态特性 MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。
3、mos管的特性曲线：耗尽型mos管通常被称为“开关导通”器件，因为它们通常在栅极端没有偏置电压时处于闭合状态。当我们以正向增加施加到栅极的电压时，沟道宽度将在耗尽模式下增加。这将增加通过沟道的漏极电流ID。
MOS管的工作原理
1、pn结的形成pn结的形成是在p型半导体与n型半导体之间在电场的作用下的扩散运动形成的势垒区（domain）。pn结的导电能力半导体中的电子必须从低能级跳到高能级，才能形成自由载流子（freecarrier）。
2、mos管工作原理是N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。
3、当通道的控制电压较低时，通道内的电流较小；当通道的控制电压较高时，通道内的电流较大。MOS管的工作原理可以用下图所示的电路来解释：图中的R1和R2分别表示MOS管的基极和漏极。
4、场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。