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mos管gm大小
MOS管的gm如同三极管的β，是衡量MOS管放大能力的标志之一。
然后I对Vgs求偏导即可：g = partial （Id）/partial （Vgs）= u*Cox*Vds*（W/L）以上partial为偏导算符，打不出来，只能这么写了，u是载流子迁移率，Cox是单位栅电容大小，W和L分别是MOS的宽和长。
：5。根据查询相关公开信息显示，因为在较低的电压情况下，宽度越窄，所需要的饱和电压就越高，反之亦然，因此，如果想要在较低的电压情况下实现更高的饱和电流，则需要使用高宽比的晶体管。
场效应管放大电路的输入电阻主要由以下因素决定：管子的类型，MOS管的最大，可以几百兆以上，结型管比较小，几个兆。与gm无关。
mos管的宽长比是什么
1、mos管没有宽长比，mos管的VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。
2、宽长比是 MOS 管的导电沟道的宽与长的比，宽长比越大，MOS 管的 Id 就越大，也就是宽长比与 Id 成正比。如果只是用来做驱动的话，根据负载能力确定宽长比。
3、宽长比是MOS管的导电沟道的宽与长的比，宽长比越大，MOS管的Id就越大，也就是宽长比与Id成正比。如果只是用来做驱动的话，根据负载能力确定宽长比。
4、mos管宽长比不可以给很大。根据查询相关公开信息显示，Mos管宽长比是指电路板中大多数单元格中的宽长比，这个比例都是很小，不能给出很大的数值。
5、：5。根据查询相关公开信息显示，因为在较低的电压情况下，宽度越窄，所需要的饱和电压就越高，反之亦然，因此，如果想要在较低的电压情况下实现更高的饱和电流，则需要使用高宽比的晶体管。
6、串联时，下面的管子工作在线性区，上面的管子分工作在线性区和饱和区进行讨论。根据电流相等的条件列出两个电流表达式，然后根据化简结果可以得到等效宽长比为W/2L。
常用大功率MOS管/MOS模块有哪些型号规格参数?
1、MOSFET模块简称MOS模块，一般采用SOT-227封装，海飞乐技术封装碳化硅MOS管，SIC MOS模块，包括车用低压大电流MOSFET模块。功率MOS模块有以下优点：开关速度快，安全工作区宽，热稳定性好，线性控制能力强，电压控制。
2、这些大功率的进口的比较多，台湾也有几个品牌。这个有20A，29A，30A，33A，34A，38A，45A，600V47A MOS管，50A，55A，60A。海飞乐技术封装这些MOS。
3、ASEMI高压MOS管20N60的规格参数。20N60是一款600V、20A的N沟道高压MOS管，采用TO-247封装。TO-247封装是一种大功率晶体管封装，外形为长方体，尺寸大约为17mm x 8mm x 2mm。
4、N10的电性参数是：二极管正向电压(VSD)为3V，反向恢复时间(trr)为47nS，输出电容(Coss)为373pF，其中有3条引线。