mos管夹断（mos管夹断是怎么产生的）

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1、你应该站在中间那个门极想两边的源极和漏极看，以门极为中心，如果说Vgs大于开启电压时，形成沟道。

2、mos管vds电压计算方法：根据P=I*I*R，得出I=3A。所以MOS管的选型应Vds＞272V，ID＞3A。你所问的Vds是指D极相对于S极的电压，也就是由原来的参考地改为以S作为参考。

3、有四种可能：增强型MOS管；耗尽型MOS管；耗尽型MOS管；结型管。见图：。

4、当VDS 增加到使VGD=VGS(th)时，相当于VDS增加使漏极处沟道缩减到刚刚开启的情况，称为预夹断，此时的漏极电流ID基本饱和。当VDS增加到 VGDVGS(th)时，预夹断区域加长，伸向S极。

5、夹断区，当导电沟道完全被夹断时，Id≈0；饱和区Id的数值取决于Ugs（栅源电压）的大小。

6、场效应管工作时，漏极和源极之间有一电压Vds，而栅极和源极之间也有一电压Vgs。Vds增加时，由电流Id流过，由于沟道存在一定的电阻，因此，Id沿沟道产生的电压降使沟道内各点的电位不再相等，漏极端电位最高，源极端最低。

1、夹断后，不是完全夹断的。靠近源极，还是有沟道的，靠近漏极的沟道被夹断的。在夹断沟道内，存在比较强的电场，所以对电子还是有很强的吸引作用的。电子会被拉入漏极。形成电流。

2、断了当然不到电，但是还会有很小的漏电流。如果从电流的角度可以忽略，认为不导电，但是如果另一端开路电压还是会过去。

3、如果仅仅是断电的话由于栅极电容无法放电，所以栅极的电压其实还是基本维持在5V，越大的MOS管电容也就越大，这个现象也就越严重。

4、场效应管在夹断后，还有饱和电流的原因是：当漏一源之间接上+ VDS时，从源一沟道一漏组成的N型半导体区域内产生了一个横向的电位梯度：源区为零电位，漏区为+ VIB，而沟道的电位则从源端向漏端逐渐升高。

uGD=uGS(OFF)就叫预夹断。对你图中的N沟道JFET，夹断一般是指uGSUGS(OFF)，导电沟道关闭。

应为：uGDUGS（th）。这就是说，G、D间沟道被夹断，即“预夹断”。

当VDS为0或较小时，相当VGD＞VGS(th)，沟道呈斜线分布。在紧靠漏极处，沟道达到开启的程度以上，漏源之间有电流通过。

随着Vds的增加，靠近漏极一端的PN结上承受的反向电压增大，这里的耗尽层相应变宽，沟道相应变窄，沟道电阻相应增加，Id随Vds上升的速度趋缓。

源电压高到一定程度（其实就是预夹断之后），UGD的电压会呈现反压，也就是在反型层所在的沟道中出现空间电荷区，ID要从D到S，需要克服一段空间电荷区（耗尽层），这时候，MOSFET呈现得是一种放大状态。

mos管夹断（mos管夹断是怎么产生的）