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如何驱动mos管,避免交越失真
调整MOS管的参数：可以通过改变MOS管的导通电阻和截止电阻来调整电路的工作状态，以达到减少下管失真的目的。更换MOS管：MOS管的参数无法满足要求，可以考虑更换其他型号的MOS管，以达到更好的电路性能。
Q5为NMOS管，R12为限流电阻（或是偏置电阻），源漏之间的二极管为保护二极管。 源极接地，电压为0，当栅极（即图中右眼驱动1）的电压大于开启电压Vth（一般为0.7V）时，就可在源漏之间形成导电沟道，产生电流。
低压应用 当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有3V。这时候，我们选用标称gate电压5V的MOS管就存在一定的风险。
a. 三极管是电流控制型元件，MOS 管是电压控制元件；b. 正常工作时，三极管的两个PN 结一个正偏一个反偏，而MOS 管的两个PN 结均需 反偏；c. MOS 主要通过多子载流子导电，是“单极型”器件。
光耦隔离与mos驱动的区别
1、另外，这些器件中，磁耦、光耦的带载能力很弱，不适合用于电流较大、负载较低的场合使用。
2、MOS管就是场效应管，场效应管是一种重要电子元件，现在被广泛使用，他具有和以前的电子管一样的特性，是一种电压控制元件，依靠电压信号进行放大，原理是依靠一个信号控制导电构宽度从而控制导电性，场效应管具有三个接脚。
3、另外，光耦驱动负载能力有限，大功率MOS管在快速开关过程中是需要较高驱动能力的。
4、光耦隔离是指在电路中，用光器件将输入信号和输出信号进行隔离的一种措施。光耦隔离具有高速、稳定、低噪声、耐高温等特点。
5、直接输出方便。输出电流不够时，小功率电路用三极管就够了。用光耦隔离后接继电器输出是控制高压大型电路的方法，可靠性当然更高。当然，可靠性最高的一定是三极管、光耦、继电器等一起上（这不废话么）。
6、方便安装、变压器驱动。内置驱动体积小，是和原车卤素灯一样，极大方便安装。隔离驱动是LED行业术语，驱动电路副边与主电路有耦合关系，满足高端MOS管的驱动，经常会采用变压器驱动。
哪家公司的二极管模块更划算？
1、安森美公司SiC模块件相对于市场上的其他器件具有一些优势，氧化物性能强，无Vth漂移，无体二极管漂移，高开关速度，具有dv/dt控制的平滑门极驱动以及强大的体二极管用于硬开关。
2、群能科技有限公司 群能科技有限公司位于浙江省杭州市，是一家集生产和销售于一体的生产厂家，专业生产加工变容二极管、发光二极管、三极管、晶闸管等。该工厂拥有雄厚的技术力量以及全套先进的电子加工机械设备。
3、公司核心优势在于芯片端设计与模块制造，斯达是国内少数自主研发IGBT芯片和快恢复二极管芯片的公司。自2005年成立之初起就专心进行IGBT产品的研发、相关人才的培养和上游产业链的培育。
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mos管隔离驱动电路如何输入负电压
对。选用开启电压低一些的，Vdss＞5V，Idss＞100mA即可，可以用AO3400。由于MOS导通电阻很小，可以忽略其压降，发光管压降按2V计算，发光管电流取10mA即可，所以R=(VCC-2V)/10mA，如果VCC是5V那么电阻R=300Ω。
在电路中产生负电压的方法有很多，其中最常见的方法是使用反相器（inverter）。反相器是一种电子元件，它能够将输入的信号反转，即当输入为“1”时输出为“0”，当输入为“0”时输出为“1”。
p沟道增强型mos管的开启电压为负值是对的，因为栅极和衬底间被二氧化硅绝缘层所隔离，在栅极和源极之间加上电压vGS后，虽然会发生电子的迁移，导电沟道截面积的改变，但是不会有栅极电流流通，可以认为栅极电等于零。