光耦隔离驱动mos管（光耦隔离驱动mos管电路）

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1、另外，这些器件中，磁耦、光耦的带载能力很弱，不适合用于电流较大、负载较低的场合使用。

2、光耦隔离是指在电路中，用光器件将输入信号和输出信号进行隔离的一种措施。光耦隔离具有高速、稳定、低噪声、耐高温等特点。

3、MOS管就是场效应管，场效应管是一种重要电子元件，现在被广泛使用，他具有和以前的电子管一样的特性，是一种电压控制元件，依靠电压信号进行放大，原理是依靠一个信号控制导电构宽度从而控制导电性，场效应管具有三个接脚。

4、方便安装、变压器驱动。内置驱动体积小，是和原车卤素灯一样，极大方便安装。隔离驱动是LED行业术语，驱动电路副边与主电路有耦合关系，满足高端MOS管的驱动，经常会采用变压器驱动。

光耦隔离驱动mos管（光耦隔离驱动mos管电路）

1、光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。

2、光耦TLP521不能直接驱动mos管。tlp521是可控制的光耦合器件，光电耦合器件广泛运用在电脑终端机，可控硅系统设置，测量仪器、影印机、自动售票、家用电器，比如电风扇、加热器等。

3、不建议使用以下这类用通用光耦搭的电路，有诸多麻烦。建议使用 TLP250 或类似芯片。

它是以光为媒介来传输电信号的器件，A3120光耦是专门驱动场效应管或者IGBT的专用光耦， 5脚是负电压输入端，通常使用-5V电压。

一般通用型光耦hFE值为一百至几百，若显示值为零或溢出为∞，则表明三极管短路或开路，已损坏。

光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。

1、两个三极管QQ3是开关推挽工作，正常逻辑应该是这样：光耦TF1有信号时，上管Q2导通，驱动MOS管开通。光耦TF1无信号时，上管Q2截止，下管Q3导通，迫使MOS管关断。

2、最好是用大功率的三极管（非达林顿的），其次是N-MOSFET，达林顿的一些效应比较特殊，控制起来比前两者都麻烦。如果可以，不要用PNP管或者P-MOSFET，这些管子的成本高，控制比较麻烦，性价比很低，不如NPN和N-MOSFET。

3、MOS管驱动需要对栅极快充快放电，以降低管子开关损耗。用专门驱动电路或芯片的目的就是起到这个作用。用光耦由于里面只有一个三极管，驱动时只能做到快充或快放不能兼顾。