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提高开关电源的工作频率,会减小电路中哪些元件的体积
如果用1方(磁性器件)的桶 那么你要跑100次(频率)也就是说跑得次数越多(频率越高)你需要的磁性器件值越小，体积也就越小。此处的磁性器件包括变压器，输出电感，输出电容等。
在这个频率以下符合E=44NΦF的关系，F(频率）上升可以使N(匝数）下降，在磁通不变的前提。因此减小匝数成为可能，体积可以小一些。现在的开关电源频率是中频30-45KHZ，如果再把频率提高一些就可以再减小一些体积。
升频后可减小输出滤波电容的体积（使用小容量的电容就可以达到滤波效果），电容的容量越大体积越大。
根据变压器线圈端电压、匝数、频率和磁通的关系U=44fN*磁通最大值，可知，频率和磁通是成反比的，频率高了，磁通量就小，当然变压器的截面就可以小些，同时它的匝数也可以很少。
simulink中igbt开关频率怎么调节
驱动脉冲：驱动脉冲是控制IGBT开关的关键。在Simulink中，你可以使用脉冲发生器来生成驱动脉冲。在设置脉冲发生器时，你需要将幅值设置为正，这样IGBT就会导通；如果将幅值设置为负，那么IGBT就会关断。
首先定义信号：需要定义要生成的开关信号的基本参数，例如开关周期、占空比、采样频率等。其次生成信号：使用MATLAB中的函数生成开关信号，例如使用square函数可以生成包含指定周期、占空比的方波信号。
只要这个开关过程是IGBT门极从完全打开到完全关断或者反过来，则驱动功率并不依赖于门极电阻及占空比的变化而变化。接下来我们来看如何确定门极电荷量QGate。门极电荷量QGate绝不能从IGBT或MOSFET的输入电容Cies计算得出。
DSP、ARM等电机控制类CPU内部都集成了SPWM模块，可以通过软件设置SPWM模块输出不同载频的IGBT驱动信号，所以IGBT开关频率是通过DSP、ARM等微处理器控制的。
如何提高mosfet频率特性
1、电压等级 电压等级是确定MOSFET首要特性的因素，即漏源击穿电压（VDS）。VDS是在栅极短路到源极、漏极电流在250μA情况下，MOSFET所能承受的保证不损坏的最高电压。需要注意的是VDS与温度有关，因此应考虑器件的温度系数。
2、确定PCB的层数 电路板尺寸和布线层数需要在设计初期确定。如果设计要求使用高密度球栅数组(BGA)组件，就必须考虑这些器件布线所需要的最少布线层数。布线层的数量以及层叠(stack-up)方式会直接影响到印制线的布线和阻抗。
3、很简单，开关速度取决你驱动电流的大小。如果有驱动电阻，减小驱动电阻就可以增加打开速度，如果没有驱动电阻的话就得更换MOSFET了，选择Cgs小的，打开速度会更快。关闭的话最好外加电路。
4、在共栅极组态中，Cdg不是密勒电容，故频率特性较好。对于MOSFET的共源-共栅组态，则既提高了增益（等于两级增益的乘积，共源组态起主要作用），又改善频率特性（共栅极组态起主要作用），从而可实现高增益、高速度和宽频带。
5、放大： MOSFET也可以在放大电路中使用。 在放大电路中，MOSFET将输入信号转换为一个变化幅度更大的输出信号。放大器： MOSFET还可以构成放大器电路，用于对输入信号进行放大和频率选择，产生谐波等应用。